Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках
| Автори | Binita Shah |
| Приналежність |
Department of Physics, Electronics and Space Sciences, University School of Sciences, Gujarat University, Navrangpura, Ahmedabad-38009, India |
| Е-mail | binitashah100@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 28 лютого 2022; у відредагованій формі 16 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Binita Shah, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02020 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02020 |
| PACS Number(s) | 64.30. – t, 65.40. – b, 63.20.Ry |
| Ключові слова | ZnO (88) , EOS (3) , Параметр Грюнайзена (4) , Фази вюрциту та кам'яної солі, Термопружні властивості. |
| Анотація |
Дослідження термопружних властивостей кількох типів твердих тіл дуже важливо для дослідників, щоб зрозуміти структуру нижньої мантії Землі та ядра в діапазоні високих тисків. Параметр Грюнайзена відіграє дуже важливу роль у вивченні термопружних властивостей, оскільки забезпечує фундаментальну основу щодо частотного розподілу фононного спектру в твердих тілах. У дослідженні була зроблена спроба теоретично обчислити залежний від тиску параметр Грюнайзена для фаз вюрциту (B4) та кам'яної солі (B1) об'ємного та нанооксиду цинку (ZnO) приблизно до 200 ГПа. Вираз вільного об'єму для параметра Грюнайзена, отриманий Ващенком і Зубарєвим, та ізотермічні рівняння стану (EOS) використовуються для обчислення його значень. Ми виявили, що тенденція зміни параметра Грюнайзена від тиску, отримана для ZnO, подібна до тенденції, отриманої для металів згідно літературних джерел. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
