Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111)
| Автори | B.E. Umirzakov, I.R. Bekpulatov, I.Kh. Turapov, B.D. Igamov |
| Приналежність |
Tashkent State Technical University, Tashkent 100095, Uzbekistan |
| Е-mail | bekpulatov85@rambler.ru |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 07 лютого 2022; у відредагованій формі 21 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | B.E. Umirzakov, I.R. Bekpulatov, I.Kh. Turapov, B.D. Igamov, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02026 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02026 |
| PACS Number(s) | 68.55.Ln, 73.40. – c |
| Ключові слова | Електронні властивості (11) , Оже-електронна спектроскопія (2) , Іонна імплантація (6) , Наношар, Силіцид (6) , Гетеросистема. |
| Анотація |
За допомогою методів ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії, спектроскопії поглинання світла та вторинних електронів було вперше досліджено вплив осадження атомів Cs товщиною 1 моношар на густину електронних станів у валентній зоні та зоні провідності, параметри енергетичної зони та квантовий вихід фотоелектронів. Встановлено, що при осадженні цезію на поверхню дисиліциду кобальту товщиною 1 моношар, значення Еg і положення максимумів густини станів валентних електронів практично не змінюються, робота виходу фотоелектронів зменшується до 3 еВ, а квантовий вихід фотоелектронів збільшується в 3 і більше разів. Після осадження Cs на поверхню CoSi2/Si(111) товщиною d 500 Å вихід вторинних електронів у вакуум збільшується, а початок спектру зміщується в бік менших енергій на ~ 2,4 еВ, тобто потенціальний бар'єр (спорідненість до електронів ) зменшується на 2,4 еВ. Зменшення Ф відбувається переважно за рахунок зменшення ширини зони провідності . У роботі вперше експериментально визначені положення максимумів густини станів вільних електронів у зоні провідності CoSi2. Показано, що максимуми розташовані при енергіях 0,8 та 1,9 еВ нижче рівня вакууму. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
20) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
21) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
22) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
23) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
24) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
25) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
