Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM
| Автори | Pronami Bora, P. Pardhasaradhi , B.T.P. Madhav |
| Афіліація |
Antennas and Liquid Crystals Research Center, Department of ECE, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram, A.P. India |
| Е-mail | pronamiz@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 12 грудня 2021; у відредагованій формі 25 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Цитування | Pronami Bora, P. Pardhasaradhi, B.T.P. Madhav, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02024 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02024 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba |
| Ключові слова | Дводіапазонний (5) , Мікросмужковий (3) , Кільцевий резонатор (RR), Квадрат (6) . |
| Анотація |
У роботі мікросмужкова патч-антена із замкненими кільцевими резонаторами (RR) у формі квадрата пропонується для застосування в діапазоні ISM, що охоплює смугу частот 2,2-2,5 ГГц. Перевагами мікросмужкових антен є невелика вага, низька вартість, простота виготовлення, а також їх легко інтегрувати з інтегральними НВЧ схемами. Представлена модель антени розроблена шляхом нанесення її на підкладку FR-4, яка затиснута між патчем і землею з лінією живлення 50 Ом. Висота підкладки складає 1,6 мм, її діелектричні проникність дорівнює 4,4, а розмір підкладки, на якій виготовлена запропонована конструкція, становить 4050 мм2. Квадратний патч розміром 2525 мм2 нанесений із замкнутими RR для покращення підсилення та діаграми спрямованості. Для отримання змодельованих параметрів моделі для діапазону частот 2,2-2,5 ГГц використовується Ansoft High Frequency Structure Simulator, заснований на методі скінченних елементів (FEM). Параметричний аналіз проводиться для отримання оптимізованих параметрів виготовлення. Оптимізовані параметри довжини та ширини RR отримують шляхом збільшення та зменшення розмірів вищезгаданих параметрів. Вимірювання підтверджують характеристики виготовленої антени, що передбачаються результатами моделювання, з невеликим зсувом частот. Запропонована антена може бути використана для додатків WiFi, WLAN та ISM. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
20) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
21) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
22) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
23) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
