Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування
| Автори | Lucky Agarwal1 , K. Sambasiva Rao2, Ravi Prakash Dwivedi1 |
| Приналежність |
1School of Electronics Engineering, Vellore Institute of Technology, 600127 Chennai, India 2Department of Electronics & Communication Engineering, Hindustan Institute of Technology, 600126 Chennai, India |
| Е-mail | ravieciit@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 12 лютого 2022; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | Lucky Agarwal, K. Sambasiva Rao, Ravi Prakash Dwivedi, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02009 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02009 |
| PACS Number(s) | 42.79.Pw, 85.60.Gz |
| Ключові слова | CZO (2) , Гомоперехід, Фотодіод (5) , Чутливість (22) , Тонка плівка (23) , ZnO (88) . |
| Анотація |
ZnO вважається важливим напівпровідниковим матеріалом у II-VI групах метал оксидів завдяки винятковим оптичним властивостям, які переконують багатьох дослідників використовувати його у виготовленні фотодетекторів для ультрафіолетового (УФ) зондування. Чутливість фотодетектора вимірюється через його сприйнятливість. У статті автори повідомили про p-n гомоперехід на основі наноструктурованої тонкої плівки ZnO для застосування його як фотодетектора в УФ-області. ZnO p-типу був отриманий селективним легуванням ZnO міддю. Вимірювання Холла та зонда гарячої точки підтвердили, що осаджена тонка плівка ZnO (CZO), легована Cu, має провідність p-типу з питомим опором 0,9 Омсм, концентрацією носіїв 1,0287 1018 см – 3 і рухливістю 6,5 см2/Вс за кімнатної температури. Кристалічні морфологічні дослідження плівок ZnO проводили за допомогою рентгенівського дифрактометра (XRD), атомно-силової мікроскопії (AFM), енергодисперсійного спектру (EDAX). Вимірювання залежності струму від напруги (I-V) у темряві та при освітленні проводили з використанням аналізатора напівпровідникових пристроїв. Виготовлений пристрій має гарні властивості випрямлення із низьким зворотним струмом витоку та високим коефіцієнтом випрямлення. Виявилося, що пристрій стабільний і демонструє високе значення сприйнятливість 3,2 А/Вт при 376 нм для напруги зворотного зміщення 3 В. Виявлено, що продуктивність нового УФ-детектора з p-n переходом на основі ZnO перевершує існуючі фотодетектори з діодами Шотткі на основі ZnO. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
10) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
11) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
12) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
13) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
14) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
15) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
16) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
17) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
18) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
19) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
20) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
21) Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків [02022-1-02022-5]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
