Мініатюрна фрактальна антена з розширеною пропускною здатністю з використанням фракталів Джузеппе Пеано та килима Серпінського для UWB та супутникових додатків
| Автори | O. Mahri1, N. Guebgoub1, M. Benslama2, T.A. Denidni3 |
| Приналежність |
1 Laboratoire des Télécommunications, Université 8 Mai 1945, 24000-B.401 Guelma, Algérie 2 Laboratoire LET, Université Frères Mentouri Constantine 1, 25000 Constantine, Algérie 3 CEMT – INRS, 800 Rue De La Gauchetière Ouest, Bureau 6900 Québec, H5A 1K6, Canada |
| Е-mail | mahri.omar@univ-guelma.dz, omarmahri@yahoo.fr |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Дати | Одержано 02 лютого 2022; у відредагованій формі 18 квітня 2022; опубліковано online 29 квітня 2022 |
| Посилання | O. Mahri, N. Guebgoub, M. Benslama, T.A. Denidni, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 2, 02022 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(2).02022 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba 84.40.Ua |
| Ключові слова | Фрактальна антена, Килим Серпінського, Джузеппе Пеано, UWB (8) , Супутниковий зв'язок. |
| Анотація |
У роботі нова мікросмужкова монопольна компактна антена розроблена з використанням двох фрактальних структур: Джузеппе Пеано і килима Серпінського для надширокосмугових (UWB) додатків та супутникового зв'язку. Вона складається з квадратного патчу з двома сходинками та прямокутної щілини на площині заземлення. Антена моделюється за допомогою мікросмужкової лінії живлення та діелектричної підкладки FR-4 з ԑr = 4,3 та tanδ = 0.025. Перша ітерація фракталу Джузеппе Пеано та дворівневі ітерації фракталів килима Серпінського були застосовані до патчу. Змодельовані результати, проведені CST Microwave Studio Simulator, показують розумне узгодження з результатами вимірювань. Діапазон частот, отриманий для S11 < – 10 дБ, становить 3,1-12,2 ГГц або 118,95 % із розширенням смуги пропускання приблизно на 63,51 % порівняно з основною антеною. Сконструйована антена демонструє діаграми спрямованості в усіх напрямах та гарне підсилення по всьому діапазону з піком 5,2 дБ на частоті 12 ГГц, задовільну ефективність випромінювання, компактні розміри та простоту виготовлення, що дозволяє її широко застосовувати UWB та супутникового зв'язку. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив загартування на механічні властивості монокристала In2Se2.7Sb0.3 [02001-1-02001-3]2) Електрохімічна поведінка чистих ефективних електродів Mn2O3, отриманих за недорогою технікою потенціостатичного електроосадження [02002-1-02002-6]
3) Вплив матеріалу каналу на експлуатаційні параметри GAA MOSFET [02003-1-02003-5]
4) Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET [02004-1-02004-4]
5) Кімнатне та високотемпературне дослідження рідкісноземельних халькогенідів [02005-1-02005-5]
6) Метод вимірювання діелектричної проникності та тангенса діелектричних втрат мікропорошків в широкому діапазоні частот [02006-1-02006-6]
7) Вплив зсуву зони провідності на характеристики резонансного тунельного діода GaAs/AlxGa1 – xAs [02007-1-02007-5]
8) Електричне дослідження структур Au/GaN/GaAs (100) як функції частоти [02008-1-02008-4]
9) Високоселективна поведінка фотодетектора з гомопереходом на основі тонкоплівкового ZnO для УФ-зондування [02009-1-02009-7]
10) Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів [02010-1-02010-5]
11) Швидкий вологий хімічний синтез наночастинок оксиду міді (Cu2O): вплив концентрації прекурсора [02011-1-02011-5]
12) Чисельне дослідження температурної залежності тонкоплівкового сонячного елемента на основі CZTS [02012-1-02012-6]
13) Оптична провідність сферичної металевої наночастинки з урахуванням розмірної залежності енергії Фермі [02013-1-02013-6]
14) Вплив включення сірки на структурні, оптичні та електричні властивості хімічно осаджених тонких плівок ZnSe [02014-1-02014-5]
15) Мініатюрний порожнинний фільтр EBG, заповнений глиноземом 96 % для додатків V-діапазону [02015-1-02015-4]
16) Особливості низькотемпературного утворення GaAs для структур епітаксійних пристроїв [02016-1-02016-5]
17) Електричні властивості наносинтезованого електролітного матеріалу PGDC [02017-1-02017-4]
18) Порівняння характеристик термостимульованої люмінесценції наноструктур CdS, отриманих зеленим синтезом та хімічним методом [02018-1-02018-6]
19) Оптичні властивості тонкої плівки TiO2: нанесення покриттів методом занурення [02019-1-02019-3]
20) Дослідження параметра Грюнайзена ZnO при високих тисках [02020-1-02020-4]
21) Вплив добавки на властивості покриття Ni-Fe [02021-1-02021-4]
22) Порівняльне теоретичне дослідження оксидів ZnO та BeO з точки зору електронних властивостей [02023-1-02023-3]
23) Мікросмужкова патч-антена з RR у формі квадрата для додатків діапазону ISM [02024-1-02024-4]
24) Характеристика шпинелі алюмінатів магнію/барію, синтезованих золь-гель методом автогоріння [02025-1-02025-5]
25) Вплив осадження субмоношарових покриттів Cs на щільність електронних станів та параметри енергетичної зони CoSi2/Si(111) [02026-1-02026-4]
26) Thermal Properties of EuO, DyO and GdO Compounds [02027-1-02027-4]
27) Моделювання та реалізація n-канального польового транзистора з подвійним затвором та тришаровою системою каналів із спроектованою деформацією для збагаченого струму стоку [02028-1-02028-5]
28) Характеристики напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 – xAs) за допомогою MATLAB [02029-1-02029-4]
29) Corrigendum to the Manuscript Entitled “Elastic, Optoelectronic and Thermal Properties of Boron Phosphide” [J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04061 (2013)] [02030-1-02030-1]
