Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою
| Автори | Sumanta Kumar Tripathy1 , Sanjay Kumar2, Azeez Mohammed Ali3 |
| Приналежність |
1Associate Professor, Department of Physics, Gayatri Vidya Parishad College of Engineering (A), Visakhapatnam, India 2Associate Professor, Department of Mechanical Engineering, Gayatri Vidya Parishad College of Engineering (A), Visakhapatnam, India 3PG Scholar, Department of Mechanical Engineering, Gayatri Vidya Parishad College of Engineering (A), Visakhapatnam, India |
| Е-mail | tripathy@gvpce.ac.in |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 15 червня 2021; у відредагованій формі 15 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | Sumanta Kumar Tripathy, Sanjay Kumar, Azeez Mohammed Ali, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04037 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04037 |
| PACS Number(s) | 68.37.Hk, 68.55. – a, 78.40. – q |
| Ключові слова | Наноплівка міді, Зварювання фрикційним перемішуванням, Розмір зерна (6) , Швидкість обертання, Швидкість зварювання. |
| Анотація |
У роботі представлено вплив різних вхідних параметрів процесу на розмір зерен алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою, при зварюванні фрикційним перемішуванням. У цьому експерименті мідна наноплівка формується методом термічного випаровування з боків пластин з алюмінієвого сплаву. Мідна плівка осідає всередині вакуумної камери під тиском 410 – 4 Торр і зі швидкістю осадження 4-6 ангстрем на секунду. Температуру підкладки підтримують від 40 до 45 С. Відстань між човном і підкладкою підтримується на рівні 10 см. Мідні наноплівкові покриття товщиною 300, 600 та 900 нм виготовляються на різних пластинах з алюмінієвого сплаву. Зварювальний апарат з фрикційним зварюванням використовується для стикового зварювання на алюмінієвому сплаві 6061, покритому мідною наноплівкою різної товщини. Площа зерна та периметр зерна слугують вихідними параметрами. На основі трьох вхідних параметрів, кожен на трьох рівнях, проводиться 9 експериментів із застосуванням ортогонального масиву Taguchi L9. Модель регресії також розроблена для прогнозування розміру зерна мікроструктури. Розмір зерна цих зразків відмічається за допомогою програмного забезпечення для аналізу зображень з перевернутим металургійним мікроскопом при збільшенні 200Х. Показано, що покриття мідною наноплівкою має значний вплив на площу зерна та периметр зерна. Збільшуючи товщину плівки з 600 до 1800 нм, середня площа зерна зменшується на 20,83 мкм2 і одночасно середній периметр зерна зменшується на 8,57 мкм. Крім того, мідне наноплівкове покриття має максимальний вплив на розмір зерна з наступною швидкістю зварювання та швидкістю обертання інструменту. Збільшуючи швидкість зварювання з 30 до 60 мм/хв, периметр зерна зменшується на 6,47 мкм, тоді як швидкість обертання має змішану реакцію. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
30) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
31) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
32) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
33) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
34) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
35) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
36) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
