Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою
| Автори | Р.М. Пелещак1,2, О.В. Кузик1, О.О. Даньків1 |
| Афіліація |
1Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, вул. Івана Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна 2Національний університет “Львівська політехніка”, вул. Степана Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
| Е-mail | dankivolesya@ukr.net |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 02 липня 2021; у відредагованій формі 04 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Цитування | Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04031 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04031 |
| PACS Number(s) | 43.35. + d, 62.23.Eg |
| Ключові слова | Квантова точка виду ядро/оболонка, Акустична хвиля (2) , Частота акустичних коливань, Деформація (36) . |
| Анотація |
Розроблено модель, яка дозволяє визначати спектр акустичних коливань сферичної квантової точки (КТ) виду ядро/багатошарова оболонка у межах пружного континууму. Запропонована модель враховує залежність пружних сталих (швидкостей акустичних хвиль) від геометричних розмірів ядра КТ та окремих шарів її оболонки. У межах розробленої моделі розраховано спектр акустичних коливань для КТ виду ядро InAs з одношаровою оболонкою GaAs та двошаровою оболонкою GaAs/In0.4Ga0.6As. Встановлено, що наявність оболонки в КТ призводить до суттєвого зменшення власних частот акустичних коливань. Показано, що збільшення кількості наношарів оболонки призводить до зменшення ступеня кореляції між частотами акустичних коливань та радіусом ядра КТ. Це пояснюється тим, що частоти коливань в основному визначаються двома конкуруючими факторами: залежністю частоти коливань від радіуса КТ та залежністю швидкостей поширення поздовжніх і поперечних коливань в тонких шарах від їх товщин. Перший фактор сприяє зменшенню частоти із збільшенням радіуса КТ, а другий – зменшенню частоти при зменшенні кількості атомів у наношарах (зменшенні їх товщини). |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
30) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
