Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO
| Автори | I.M. Пазуха , В.В. Щоткін, О.В. Пилипенко , В.З. Микитин, Ю.О. Шкурдода |
| Приналежність |
Сумський державний університет, вул. Рисмського-Корсакова 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | iryna.pazukha@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 01 липня 2021; у відредагованій формі 06 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | I.M. Пазуха, В.В. Щоткін, О.В. Пилипенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04035 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04035 |
| PACS Number(s) | 68.37.Lp, 68.60.Dv, 81.15.Ef |
| Ключові слова | Композитний матеріал (4) , Одночасна конденсація (2) , Феромагнітні частинки (2) , Діелектрична матриця, Магнітоопір (37) . |
| Анотація |
Серія тонкоплівкових композитних матеріалів на основі Co та SiO була отримана методом одночасного електронно-променевого осадження з двох незалежних джерел. Концентрація атомів Со у тонкоплівковому зразку змінювалася у межах від 35 до 90 aт. %. Композиційний та елементний аналіз зразків визначався за допомогою скануючого електронного мікроскопу (Tescan VEGA3) з енергорозсіюючим рентгенівським (EDX) детектором (Oxford Instruments). Загальна товщина композитних матеріалів контролювалася за допомогою системи із двох незалежних кварцових резонаторів та становила 30 та 60 нм. Дослідження магніторезистивних властивостей було проведено для зразків у свіжосконденсованому стані. Згідно з отриманими даними поріг перколяції для системи на основі Co та SiO знаходиться в інтервалі концентрацій сСо = 60-70 ат. %. Із отриманих за кімнатної температури польових залежностей магнітоопору (МО) слідує, що електричний опір плівок зменшується при внесенні їх у магнітне поле (негативний магнітоопір). Реалізація негативного МО свідчить про те, що домінуючий ефект, який спостерігається, зумовлений спін-залежним тунелюванням електронів між феромагнітними наногранулами. Встановлено, що для свіжосконденсованих композитів на основі Co та SiOx товщиною d = 30-70 нм та за концентрації сСо = 40-60 ат. % реалізується ізотропний МО величиною 1.5-2.5 %. Максимум на концентраційних залежностях МО зміщується в область менших концентрацій Со при збільшенні товщини зразків. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
30) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
31) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
32) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
33) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
34) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
