Автори | B. Shruthi1, B.J. Madhu2 |
Афіліація |
1Department of Chemistry, Dr. Ambedkar Institute of Technology, 560056 Bangalore, India 2Post Graduate Department of Physics, Government Science College, 577501 Chitradurga, India |
Е-mail | bjmadhu@gmail.com |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
Дати | Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 10 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
Цитування | B. Shruthi, B.J. Madhu, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04019 (2021) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04019 |
PACS Number(s) | 61.43.Fs, 72.80.Ng, 77.22.Gm |
Ключові слова | Оксидне скло, FTIR (30) , Раманівська спектроскопія (12) , Діелектрична проникність (25) , Тангенс діелектричних втрат (2) , Аналіз провідності. |
Анотація |
Багатокомпонентні стекла системи TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 (TZLNB) були підготовлені звичайним методом загартування розплаву. Синтезовані стекла характеризувались рентгенівською дифракцією (XRD), інфрачервоною спектроскопією з перетворенням Фур'є (FTIR), раманівською спектроскопією та спектроскопією в ультрафіолетовому та видимому діапазонах. Аморфність цих стекол підтверджена їх рентгенограмою. В дослідженому склі TZLNB виявлено, що B2O3 перетворюється в складну мережу, яка включає бороксолове кільце, поєднане з чотирикратно скоординованим бором (BO4) завдяки атомам, які не з'єднуються киснем. Вивчення частотних залежностей діелектричної проникності (ε′), тангенса діелектричних втрат (tanδ) та провідності по змінному струму (ac) було проведено на стеклах TZLNB в діапазоні частот 50 Гц-5 МГц при кімнатній температурі. Встановлено, що діелектричні властивості, такі як діелектрична проникність та тангенс діелектричних втрат, зменшуються зі збільшенням частоти. Виявлено, що стекла TZLNB, які розглядаються, мають високу діелектричну проникність і дуже низькі діелектричні втрати в досліджуваному діапазоні частот. Крім того, встановлено, що провідність по змінному струму зростає зі збільшенням частоти через підвищену густину рухомих іонів провідності. Розглянуті стекла TZLNB мають відмінні діелектричні властивості, такі як висока діелектрична проникність і дуже низькі діелектричні втрати, і вважаються найбільш перспективним діелектричним матеріалом для конденсаторів комірок пам'яті в мікросхемах динамічної оперативної пам'яті. |
Перелік посилань |