Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми
| Автори | І.В. Яценко1 , В.П. Маслов2, В.С. Антонюк3 , В.А. Ващенко1 , О.В. Кириченко4 , К.М. Яценко1 |
| Приналежність |
1Черкаський державний технологічний університет, бульв. Шевченка, 460, 18006 Черкаси, Україна 2Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, просп. Науки, 45, 02000 Київ, Україна 3Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського", просп. Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна 4Черкаський інститут пожежної безпеки імені Героїв Чорнобиля Національного університету цивільного захисту України, вул. Онопрієнка, 8, 18034 Черкаси, Україна |
| Е-mail | irina.yatsenko.79@ukr.net |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 29 жовтня 2020; у відредагованій формі 15 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | І.В. Яценко, В.П. Маслов, В.С. Антонюк та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04034 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04034 |
| PACS Number(s) | 42.79.Bh |
| Ключові слова | Оптико-електронні прилади (2) , Електронний промінь (6) , Оптичний елемент (3) , Оптимальне керування (2) . |
| Анотація |
Розроблено метод обробки криволінійних поверхонь оптичних елементів та створення на них функціональних мікропрофілей різної геометричної форми за допомогою системи нерухомих одиничних електронних променів шляхом оптимізації технологічних параметрів установки (кількості променів, їх струмів, прискорюючихнапруг та відстаней до оброблюваних поверхонь), що дозволяє створювати різні мікрооптичні деталі для оптико-електронних приладів. В основу методу покладені реалізовані на практиці схеми розташування системи одиничних електронних променів, що діють на криволінійні поверхні оптичних елементів. Згідно розробленого метода задача реалізації вирішувалась за допомогою дискретно розташованих нерухомих джерел теплового впливу гаусівського типу з різними амплітудами (максимальні значення густини теплового впливу електронних променів) та коефіцієнтами зосередженості , що діють на оброблювані поверхні оптичних елементів. При цьому керування впливом таких джерел здійснюється автоматично з використанням мікропроцесорної техніки. Показано, що збільшуючи кількість електронних променів (до 50…70) можна отримати високу точність (відносна похибка до 10 – 4…10 – 5) відповідності заданим складним розподіленим тепловим впливам вздовж оброблюваних як плоских, так й криволінійних оптичних елементів, необхідних для створення функціональних мікропрофілей на їх поверхнях заданої геометричної форми. Нині внаслідок технічних труднощів, які вникають, неможливо здійснювати ефективне керування великою кількістю променів (більше 10…15) Однак, зменшуючи їх кількість (наприклад, до 5…7), можна реалізовувати вказані розподілені теплові впливи з прийнятною на практиці точністю (відносна похибка не перевищує 3…5 %). |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
30) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
31) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
32) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
33) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
