Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії
| Автори | Mamta Thakran1, Sumeet Kumar1, Rohit Phogat1, S.K. Ray2, R. Brajpuriya3, Abhimanyu Singh Rana4, Brijesh Kumar1,5, 6 |
| Приналежність |
1Centre for Nano Science & Technology, Amity Institute of Nanotechnology, Amity University, Haryana, India 2Centre for Stem Cell, Amity Institute of Biotechnology, Amity University, Haryana, India 3University of Petroleum and Energy Studies, Department of Physics, School of Engineering, Dehradun, India 4BML Munjal University, Gurugram, Haryana, India 5Amity School of Engineering & Technology, Amity University, Haryana, India 6Amity Institute of Laser Technology & Optoelectronics, Amity University, Haryana, India |
| Е-mail | bkumar2@ggn.amity.edu |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 06 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | Mamta Thakran, Sumeet Kumar, Rohit Phogat, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04015 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04015 |
| PACS Number(s) | 81.05.ue, 81.07. – b, 61.46.Df, 78.30. – j, 81.90. + c |
| Ключові слова | Вирощування при високому тиску, Модифікований метод Хаммера, Раманівська спектроскопія (12) , Оксид графену (2) , Відновлений оксид графену. |
| Анотація |
Похідні графену демонструють надзвичайні механічні, оптичні та електронні властивості, які викликали високий науковий інтерес, і мають величезний потенціал для використання у різних додатках. Раманівська спектроскопія є універсальним інструментом для характеристики та ідентифікації хімічних та фізичних властивостей похідних графену. Ми описуємо основні процеси раманівського розсіювання режимів першого (G) та другого порядку (D, G*, 2D, G + D, 2G), які мають місце в оксиді графену (GO) та відновленому оксиді графену (r-GO), підготовлених методом вирощування при високому тиску. Для r-GO лінії розширені і трохи зміщені в червону область для всіх смуг порівняно з GO через розвинення деформації під час вирощування при високому тиску (гідротермальний процес) в результаті видалення функціональних груп кисню. Обговорюється нормалізоване відношення інтенсивностей (ID/IG) для GO та r-GO. В обох зразках відношення ID/IG є високим, що свідчить про малі розміри GO та r-GO та наявність турбостратичного вуглецю та невпорядкованих структур. Зіставлення піків 2D-смуги демонструє чотири Лоренцівські піки, а інтенсивність 2D-смуги у порівнянні із G-смугою сильно зменшується, що підтверджує, що ми успішно синтезували двошаровий/тришаровий GO та r-GO. Для GO та r-GO розраховано розмір кристалітів (La). Існування 2D-смуги підтверджує, що ми успішно синтезували високоякісні GO та r-GO. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
16) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
17) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
18) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
19) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
20) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
21) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
22) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
23) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
24) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
25) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
26) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
27) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
28) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
