Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах
| Автори | В.Б. Британ1, Р.М. Пелещак2, Ю.О. Угрин1, М.Я. Сенета1, О.Х. Тадеуш3 |
| Приналежність |
1Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, вул. І. Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна 2Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери 12, 79013 Львів, Україна 3Південноукраїнський національний педагогічний університет імені К.Д. Ушинського, вул. Старопортофранківська, 26, 65000 Одеса, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 15 серпня 2021; опубліковано online 25 серпня 2021 |
| Посилання | В.Б. Британ, Р.М. Пелещак, Ю.О. Угрин, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04024 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04024 |
| PACS Number(s) | 73.40.Qv, 74.25.Fy |
| Ключові слова | Монокристал Cd1 – xZnxTe, Роздільна здатність (5) , Пасивація (4) , Деформація (35) , Електростатично-деформаційна взаємодія. |
| Анотація |
У роботі запропоновано електростатично-деформаційну модель пасивації атомарним воднем електрично-активних центрів виду дефектів стиску (розтягу) у напівпровідниках Cd1 – xZnxTe. Встановлено, що ефект підсилення пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe має місце у випадку коли концентрація атомарного водню NH не перевищує концентрацію акцепторів NA (NH ≤ NA), а послаблення ефекту пасивації спостерігається коли концентрація атомарного водню NH є набагато більшою за концентрацію акцепторів NA (NH ≥ NA). Отримано вираз для роздільної здатності Ri оптично-реєструючих наноструктур метал-діелектрик-напівпровідник Cd1 – xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) та розраховано значення роздільної здатності для непасивованого напівпровідникового матеріалу Cd0.8Zn0.2Te та для пасивованого в атмосфері водню, яке становить R1 = 6682 та R2 = 17423 відповідно. Запропоновано спосіб розширення спектрального діапазону запису оптичної інформації на основі n-p-i-m наноструктур за допомогою зміни складу (0 ≤ x ≤ 1) твердого розчину Cd1 – xZnxTe. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
25) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
26) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
27) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
28) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
