Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування
| Автори | П.В. Галій1, Т.М. Ненчук1, А. Ціжевський2, П. Мазур2, О.В. Цветкова1 , В.І. Дзюба1, Т.Р. Макар1 |
| Приналежність |
1Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна 2Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland |
| Е-mail | nenchuk@electronics.lnu.edu.ua |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 25 червня 2021; у відредагованій формі 10 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | П.В. Галій, Т.М. Ненчук, А. Ціжевський, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04032 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04032 |
| PACS Number(s) | 68.37.Ef, 68.37.Ps, 68.47.De, 68.47.Fg, 73.20.At, 68.35.bg, 81.65.Cf, 79.60. – i |
| Ключові слова | Шаруваті халькогеніди, Самоорганізовані наноструктури, Вторинне твердотільне змочування, Скануючі тунельна мікроскопія/спектроскопія, Атомно-силова мікроскопія (16) , Х-променева фотоелектронна спектроскопія (3) , Дифракція повільних електронів (3) . |
| Анотація |
Для формування наносистеми In/InTe застосовано метод вторинного твердотільного змочування як перспективний спосіб отримання наноструктур. Фазово-елементний склад та структурна досконалість вихідної поверхні InTe характеризувались методами Х-променевої фотоелектронної спектроскопії, дифракції повільних електронів та атомно-силової мікроскопії. Методом дифракційного Х-променевого структурного і фазового аналізів встановлено тетрагональну кристалічну структуру InTe типу TlSe (просторова група I4/mcm, параметри ґратки a ( 8,4414(6) Å, c ( 7,1333(5) Å). Дослідження за допомогою скануючої тунельної мікроскопії вихідної поверхні InTe (001), як такої, що використовується як упорядкований шаблон після термічного осадження індію, показують, що форма та розташування індукованих індієм наноструктур визначаються квадратною симетрією поверхневої ґратки, що визначається тетрагональною об'ємною ґраткою InTe. Встановлено утворення нанорозмірних 0D-структур в результаті процесу вторинного твердотільного змочування внаслідок нагрівання поверхні вище температури плавлення індію. Скануюча тунельна спектроскопія виявляє кореляцію між кінетикою покриття індієм та збільшенням на поверхні InTe (001) величини густини станів у забороненій зоні InTe. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
30) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
31) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
