Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO
| Автори | Sudheendra Kulkarni1, Arundhati H. Patil2, Shridhar N. Mathad3 , U.V. Khadke4 |
| Приналежність |
1Department of Physics, KLS Gogte Institute of Technology, Belagavi, Affiliated to Visveswayara Technological University, Belagavi, Karnataka, India 2Department of Physics, BKIT Bhalki, (Affiliated to VTU) & Govt. PU College, Yamakanmardi, Belagavi, Karnataka, India 3Department of Engineering Physics, K.L.E Institute of Technology, Hubballi, Karnataka, India 4Department of Physics, Vijayanagara Sri Krishnadevaraya University, Bellary, Karnataka, India |
| Е-mail | khadke@vskub.ac.in |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 10 березня 2021; у відредагованій формі 06 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | Sudheendra Kulkarni, Arundhati H. Patil, Shridhar N. Mathad, U.V. Khadke, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04014 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04014 |
| PACS Number(s) | 77.22.Ch, 81.05.Qk, 77.90. + k |
| Ключові слова | PVDF (5) , PVDF-ZnO, XRD (90) , SEM (112) , FTIR (29) , Діелектрична проникність (16) . |
| Анотація |
Полівініліденфторид (PVDF), який є напівкристалічним сегнетоелектричним полімером з рядом цікавих властивостей, має потенціал для використання в різних технологічних додатках. Гнучкі тонкі плівки PVDF та його композитів поліпшили свої електронні властивості в основному за рахунок діелектричного відгуку. У роботі ми повідомляємо про синтез, характеристики та діелектричні властивості композиту PVDF-ZnO у формі тонкої плівки. Полімерні композити PVDF-ZnO з різними концентраціями ZnO як наповнювача в матриці PVDF синтезували методом змішування розчину з використанням діметілформадіду (DMF) як розчинника. Фазові перетворення та морфологія поверхні отриманих сегнетоелектричних полімерних композитів характеризувались рентгенівською дифракцією (XRD) та скануючою електронною мікроскопією (SEM) відповідно. Дифрактограми підтверджують формування тетрагональної перовскітної структури сегнетоелектричної -фази PVDF та зсуви ліній -фази у бік менших значень 2, на що впливає рівномірне змішування частинок ZnO. Крім того, встановлено підвищення кристалічності композитів із вмістом ZnO в матриці PVDF. Мікрофотографії SEM демонструють збільшення структурної густини зі складом ZnO в матриці PVDF. Спектр FTIR композитів показує піки поглинання, характерні для і фаз, та збільшення їх інтенсивності за рахунок ZnO, що вказує на фазу вюрциту. Діелектрична проникність PVDF-ZnO є аномалією при низьких частотах і зменшується зі збільшенням частоти, підтверджуючи тип міжфазної поляризації Максвелла-Вагнера, і було встановлено, що вона узгоджується з феноменологічною теорією Купа. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
15) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
16) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
17) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
18) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
19) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
20) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
21) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
22) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
23) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
24) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
25) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
26) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
27) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
28) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
