Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром
| Автори | І.Г. Шипкова, Ю.І. Веретеннікова, Г.А. Холодов |
| Приналежність |
аціональний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | veretennikova.fiz@gmail.com |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 19 березня 2021; у відредагованій формі 06 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | І.Г. Шипкова, Ю.І. Веретеннікова, Г.А. Холодов, Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04010 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04010 |
| PACS Number(s) | 75.75. – с, 75.70.Сn |
| Ключові слова | Композит (77) , Багатошарова наноструктура (2) , Магнітний диполь, Внутрішнє поле, Чисельні розрахунки (2) . |
| Анотація |
Виконано чисельні розрахунки внутрішніх полів в багатошарових наноструктурах, що містять магнітні композитні шари та немагнітні прошарки. Розглянуто системи з бімодальним розподілом гранул за розміром. Моделі таких систем було сформовано шляхом перестроювання та коалесценції гранул усередині кожного шару мономодальної регулярної структури при збереженні об’ємної концентрації магнітних частинок. Магнітні поля в позиціях певних гранул були розраховані як векторна сума дипольних полів, створюваних гранулами всієї системи. Параметри моделі відповідали характеристикам реальних мультишарових композитних наноструктур із вмістом магнітної фази нижче порогу перколяції. Так, для композиту з намагніченістю гранул 1250 Гс, вміст магнітної фази в шарах було вибрано рівним 13 об. %. Розміри малих частинок становили 3 нм. Розрахунки було проведено для різної кількості позицій частинок в системі (102-107) та встановлено, що результати розрахунків після перевищення числа точок ( 105 практично не змінюються. Було визначено інтервали значень локальних полів у різних точках шару в залежності від товщини магнітного прошарку (від 2 до 4 нм). Було показано, що різниця у величинах локальних дипольних полів в системі з розглянутим бімодальном розподілом гранул може досягати 1500 Е. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
11) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
12) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
13) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
14) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
15) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
16) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
17) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
18) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
19) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
20) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
21) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
22) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
23) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
24) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
25) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
26) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
27) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
28) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
