Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання
| Автори | В.Г. Вербицький , В.С. Антонюк , А.О. Воронько, Л.М. Королевич, Д.В. Вербицький, Д.О. Новіков |
| Приналежність |
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут Ігоря Сікорського», проспект Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна |
| Е-mail | a7@ukr.net |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 22 червня 2021; у відредагованій формі 10 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | В.Г. Вербицький, В.С. Антонюк, А.О. Воронько, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04029 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04029 |
| PACS Number(s) | 42.79.Bh |
| Ключові слова | Оптичний координатор, Позиційночутлива матриця, Фотодіод (5) , Пристрій з чутливістю до положення (ПЧП), Метод визначення координат, Квадрантні фотодіоди (КФ), Характеристики визначення напрямку. |
| Анотація |
У роботі представлені результати досліджень щодо розробки конструкції матриці світлочутливих елементів на основі твердих розчинів Si та сполук A3B5 у вигляді p-n-фотодіодів, pin-фотодіодів або лавинних фотоприймачів. Основною перевагою запропонованої матриці є особлива топологія з'єднання чутливих елементів. Переплетене з’єднання рядків і стовпців дозволяє значно скоротити кількість вихідних даних, розширити динамічний діапазон і досягти більшої технологічності пристрою без значних втрат компонента сигналу. Періодичність топології дозволяє знаходити положення світлової плями, визначати її центр і точно відстежувати рух плями вздовж координатора без використання мікромеханічних пристроїв. Обговорюється топологія «шахової дошки» чутливих елементів та спосіб генерування вихідних сигналів. Таке розташування дає можливість визначати дві координати одночасно. Представлені також методи визначення центру світлової плями. Перекриття області чутливого елемента світловою плямою пропорційне сигналу вихідного струму. Показано, що центр світлової плями можна визначити, вирішивши двовимірну геометричну задачу. Розподіл похибок при визначенні центру розраховувався за допомогою методу знаходження барицентру в динамічному та статистичному режимах для різних конфігурацій світлових плям. Проаналізовано характеристики визначення напрямку сигналу. Представлена топологія з'єднання для розширення динамічного діапазону вимірювань. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO [04004-1-04004-5]
5) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
6) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
7) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
8) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
9) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
10) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
11) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
12) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
13) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
14) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
15) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
16) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
17) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
18) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
19) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
20) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
21) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
22) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
23) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
24) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
25) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
26) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
27) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
28) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
