Покращення електричних властивостей елементів Гретцеля шляхом заміщення шару барвника переходом CdS/ZnO
| Автори | M. Melouki1, H.F. Mehnane1, A. Djelloul1,2 , Y. Larbah3 , M. Adnane1 |
| Приналежність |
1Département de Technologie des Matériaux, Faculté de Physique, Université des Sciences et de la Technologie d’Oran Mohamed Boudiaf USTO-MB, BP 1505, El M'naouer, 31000 Oran Algérie 2Centre de Recherche en Technologie des Semi-Conducteurs pour l’Energétique ‘CRTSE’ 02 Bd Frantz Fanon. BP: 140. 7 Merveilles, Alger, Algérie 3(CRNA) Nuclear Research Centre of Algiers, Algeria |
| Е-mail | mohamed.melouki@univ-usto.dz |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 |
| Дати | Одержано 21 березня 2021; у відредагованій формі 02 серпня 2021; опубліковано online 20 серпня 2021 |
| Посилання | M. Melouki, H.F. Mehnane, A. Djelloul, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 4, 04004 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(4).04004 |
| PACS Number(s) | 68.55. – a, 82.33.Ya –, 81.10.Dn, 81.15.Rs, 81.05.Hd |
| Ключові слова | TiO2 (17) , MOCVD (2) , CBD (6) , Спрей-піроліз (12) , Перехід CdS/ZnO. |
| Анотація |
Сонячні елементи на основі органічного барвника широко використовуються через простоту їх виготовлення. Проста структура складається з кольорового шару TiO2, електроліту та антиелектроду. У дослідженні шари TiO2, CdS та ZnO наносились на електропровідне скло різними методами для заміни органічного барвника. Для підготовки шару TiO2 використовували метод метал-органічного хімічного осадження з газової фази (MOCVD), хімічне осадження у ванні (CBD) для підготовки шару CdS та спрей-піроліз (SP) для приготування шару ZnO. Морфологічні та структурні дослідження показали однорідну морфологію суперпозиції шарів TiO2/CdS/ZnO. XRD та SEM аналіз показав, що відпал шару CdS повинен проводитися в контрольованій атмосфері, щоб уникнути утворення оксиду кадмію та регулювати розмір частинок. Метою роботи є заміщення органічного барвника в елементі Гретцеля переходом CdS(n)/ZnO(n+). Морфологічні та оптичні властивості TiO2/CdS/ZnO на додаток до фотоелектричних характеристик цього структурного переходу були досліджені з різним часом осадження шару CdS. Встановлено, що природа підкладки не впливає на реалізацію переходу. Помічено, що кожен доданий шар призводить до зменшення коефіцієнту пропускання підкладки. Характеристика фотоелектричних властивостей елементів на основі переходу CdS/ZnO показує більш високий вихід в порівнянні зі звичайними елементами на основі органічного барвника. Також рекомендовано проводити відпал в контрольованій атмосфері, такій як азот, щоб усунути вторинну фазу CdO і зменшити розмір зерен, що може підвищити ефективність сонячних елементів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Математична модель радіовимірювального частотного перетворювача оптичного випромінювання на основі МДН-транзисторної структури з від’ємним диференційним опором [04001-1-04001-6]2) Електричні характеристики та густина інтерфейсних станів в діоді Шотткі Au/n-InN/InP [04002-1-04002-5]
3) Вплив спін-орбітальної взаємодії на зонні енергії електронів, отримані у халькогенідах кадмію за комбінованим методом HSE06-GW [04003-1-04003-5]
4) Дослідження залежних від товщини магнітних властивостей тонких плівок Fe [04005-1-04005-3]
5) Оптичні та дисперсійні параметри тонких плівок ZnO:Al [04006-1-04006-7]
6) Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN [04007-1-04007-5]
7) Вплив діелектричного шару NaCl на електричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Cd1 – xZnxTe, виготовлених шляхом перенесення нарисованої плівки графіту на підкладки [04008-1-04008-4]
8) Вплив іонізуючого опромінення на характеристики магніточутливих транзисторних структур [04009-1-04009-4]
9) Магнітостатичні поля у багатошарових композитних плівках з бімодальним розподілом гранул за розміром [04010-1-04010-5]
10) Люмінесцентні властивості електрохімічно травленого арсеніду галію [04011-1-04011-6]
11) Генератор дельта ритмів ЕЕГ на основі нанодротів Si [04012-1-04012-5]
12) Нанорідини в системах охолодження і їх ефективність [04013-1-04013-8]
13) Діелектрична спектроскопія сегнетоелектричних гібридних полімерних композиційних тонких плівок PVDF-ZnO [04014-1-04014-5]
14) Метод вирощування при високому тиску для одержання відновленого оксиду графену і його дослідження за допомогою Раманівської спектроскопії [04015-1-04015-5]
15) Вплив відпалу на оптоелектронні характеристики сонячних елементів P3HT/PCBM, що містять наночастинки Au і CuO [04016-1-04016-6]
16) Теоретичне моделювання структурної стабільності, еластичних, електронних, магнітних та термодинамічних властивостей нових напівметалевих сплавів Cr2GdSn1 – xPbx [04017-1-04017-7]
17) Вивчення впливу товщини шару поглинача сонячних елементів на основі CIGS з різною шириною забороненої зони за допомогою SILVACO TCAD [04018-1-04018-5]
18) Структурні і діелектричні властивості та поведінка провідності по змінному струму багатокомпонентного скла TeO2-ZnO-Li2O-Na2O-B2O3 [04019-1-04019-5]
19) Фотоелектричні та електричні властивості композитних матеріалів на основі n-InSe і графіту [04020-1-04020-4]
20) Вивчення нової структури пристрою: польовий транзистор на графені (GFET) [04021-1-04021-5]
21) Вплив температури спікання та концентрації алюмінію на твердість, мікроструктуру та щільність мідно-алюмінієвих сплавів [04022-1-04022-4]
22) Топологічна 3D модель функціонування динамічної системи – когнітивне оцінювання складності [04023-1-04023-6]
23) Вплив ступеня пасивації електрично-активних центрів у Cd1 – xZnxTe атомарним воднем на роздільну здатність оптичного запису зображень на n-p-i-m наноструктурах [04024-1-04024-6]
24) Діагностична візуалізація змін в біологічних тканинах ультразвуковим методом на основі ефекту Допплера [04025-1-04025-4]
25) Фізсорбція водню на гетероструктурах BNC: систематичне теоретичне дослідження [04026-1-04026-9]
26) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [04027-1-04027-6]
27) Конструювання Al:ZnO/p-Si сонячного елемента з гетеропереходом за допомогою програми для моделювання SCAPS [04028-1-04028-4]
28) Матриця фоточутливих елементів для визначення координат джерела оптичного випромінювання [04029-1-04029-6]
29) Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанородроту [04030-1-04030-4]
30) Спектр власних частот акустичних коливань сферичної квантової точки з багатошаровою оболонкою [04031-1-04031-5]
31) Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування [04032-1-04032-5]
32) Вивчення температурного коефіцієнта основних фотоелектричних параметрів кремнієвих сонячних елементів з різними наночастинками [04033-1-04033-5]
33) Електронно-променева технологія в оптоелектронному приладобудуванні: високоякісні криволінійні поверхні та створення мікропрофілів різної геометричної форми [04034-1-04034-5]
34) Особливості магнітоопору композитних матеріалів на основі Со та SiO [04035-1-04035-4]
35) Прецизійна синхронізація хаотичних оптичних систем [04036-1-04036-5]
36) Мікроструктурний аналіз зварювання фрикційним перемішуванням алюмінієвого сплаву 6061, покритого мідною наноплівкою [04037-1-04037-4]
