Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням
| Автори | P. Parthasarathi1, T.S. Arun Samuel1 , P. Vimala2, N. Arumugam1 |
| Афіліація |
1Department of ECE, National Engineering College, Kovilpatti, India 2Department of ECE, Dayananda Sagar College of Engineering, Bangalore, India |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 25 серпня 2022; у відредагованій формі 20 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Цитування | P. Parthasarathi, T.S. Arun Samuel, P. Vimala, N. Arumugam, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05008 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05008 |
| PACS Number(s) | 85.70. – w, 85.75. – d |
| Ключові слова | SRAM (4) , FinFET (18) , Розсіювання потужності, BSIM4, Microwind. |
| Анотація |
Вбудовані модулі SRAM є обов’язковими компонентами сучасних SoCs. У зв’язку зі збільшенням популярності портативних пристроїв із живленням від акумуляторів останнім часом багато уваги приділяється конструкціям мікросхем із низьким енергоспоживанням. Традиційні конструкції комірок SRAM є водночас енергоємними та неефективними в цю нову еру швидкісних мобільних обчислень. Дане дослідження зосереджено на розсіюванні потужності операцій читання та запису 12T SRAM комірки 14 нм FinFET при різних температурах. Розсіювання потужності запропонованої SRAM комірки було розраховано та порівняно з розсіюванням різних існуючих технологій. Модель BSIM4 із коротким каналом пропонується як 12T SRAM комірка 14 нм FinFET. Розсіювана потужність запропонованої 12T SRAM комірки становила 7,430 мкВт для читання та 12,278 мкВт для запису при температурі 45 C. Рекомендована SRAM комірка мала нижчу розсіювану потужність. Однак порогова напруга поступово знижувалася, оскільки розмір FinFET було зменшено з 65 до 14 нм. Для моделювання 14 нм FinFET використовувалися інструменти DSCH 3.8 і Microwind 3.8. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
9) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
10) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
11) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
12) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
