Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів
| Автори | S. Zegdou1, K.E. Aiadi1, Y. Benkrima2 |
| Приналежність |
1 Lab. Développement des Energies Nouvelles et Renouvelables en Zones Aride et Sahariennes, Univ Ouargla, Fac. des Mathématiques et des Sciences de la Matière, 30000 Ouargla, Algeria 2 Ecole Normale Supérieure de Ouargla, 30000 Ouargla, Algeria |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 18 квітня 2022; у відредагованій формі 24 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | S. Zegdou, K.E. Aiadi, Y. Benkrima, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05022 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05022 |
| PACS Number(s) | 42.79.e, 42.81.i |
| Ключові слова | Скловолокно, Пластикові волокна, Гексагональна упаковка, Нормальна упаковка, Температура (34) . |
| Анотація |
Мета дослідження полягає в тому, щоб показати вплив упаковки на оптоволоконний кабель, який переносить концентроване сонячне випромінювання. Це сонячне випромінювання взято в певний день і годину в Wilaya Уаргла, Алжир. У дослідженні ми розробили математичну модель і отримали диференціальні рівняння за допомогою програми MATLAB, використовуючи властивості як пластикових, так і скляних волокон для нормальної та гексагональної упаковок шляхом вибору певного значення енергії на виході кабелю. Проаналізувавши отримані результати, ми порівняли їх з результатами попередніх досліджень для двох типів скловолоконних та пластикових кабелів у випадках гексагональної та нормальної упаковок. Результати показали, що температура оптоволоконного кабелю з гексагональною упаковкою нижча, ніж температура оптоволоконного кабелю з нормальною упаковкою незалежно від типу волоконного матеріалу. Крім того, загальна кількість сонячного випромінювання, необхідна для передачі через оптоволоконний кабель із гексагональною упаковкою, менша, ніж необхідна для передачі через звичайний оптоволоконний кабель для отримання тієї самої енергії на виході кабелю. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
21) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
