Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії
| Автори | В.Ф. Онищенко |
| Приналежність |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна |
| Е-mail | onyshchenkovf@isp.kiev.ua |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 15 серпня 2022; у відредагованій формі 19 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | В.Ф. Онищенко, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05024 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05024 |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz |
| Ключові слова | Макропористий кремній (6) , Двосторонній макропористий кремній (2) , Кінетика фотопровідності. |
| Анотація |
Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії в залежності від глибини пор кожного макропористого шару розрахована методом скінченних різниць. Стаціонарна фотопровідність в двосторонньому макропористому кремнії знайдена за допомогою системи рівнянь. Ми використали рівняння дифузії надлишкових неосновних носіїв заряду, початкову та граничну умови для розрахунку кінетики фотопровідності. Стаціонарна фотопровідність, яка збуджена світлом з довжинами хвиль 0,95 мкм та 1,05 мкм, використана як початкова умова. Ми врахували, що світло проходить через фронтальний та тильний макропористі шари розповсюджуючись по кремнієвій матриці та порам. Гранична умова записана на межах кожного макропористого шару. Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії товщиною 500 мкм розрахована за умови, коли глибина пор одного макропористого шару дорівнює 100 мкм, а глибина пор іншого шару макропористого кремнію змінюється від 0 до 400 мкм. Показано, що початковий період затухання фотопровідності збільшується, коли глибина кожного шару макропористого кремнію збільшується. В напівлогарифмічному масштабі, спад фотопровідності, який описується експонентним законом, змінює свій нахил, коли глибина пор фронтального або тильного шару макропористого кремнію більше 250 мкм або 200 мкм, відповідно. Експонентна частина фотопровідності змінює свій нахил не залежно від того, якою довжиною хвилі 0,95 мкм чи 1,05 мкм збуджувалася стаціонарна фотопровідність. Залежність кінетики фотопровідності від глибини пор фронтального та тильного шарів макропористого кремнію є майже ідентичною, коли фотопровідність збуджується світлом з довжиною хвилі 1,05 мкм. Зменшення фотопровідності в макропористому кремнії з наскрізними порами описується експонентним законом. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
21) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
22) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
23) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
