Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання
| Автори | J. Gulomov, R. Aliev, N. Mirzaalimov, B. Rashidov, J. Alieva |
| Приналежність |
Andijan State University, 129, Universitet St., 170100 Andijan, Uzbekistan |
| Е-mail | jasurbekgulomov@yahoo.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 03 серпня 2022; у відредагованій формі 22 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | J. Gulomov, R. Aliev, N. Mirzaalimov та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05012 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05012 |
| PACS Number(s) | 85.60.Bt, 78.20.Bh, 84.60.Jt |
| Ключові слова | Монокристал (18) , Полікристал (4) , Кремній (82) , Сонячний елемент (32) , Фотоелектричний пристрій, Моделювання (75) , Форма (60) . |
| Анотація |
При підвищенні температури ефективність сонячних елементів падає, тому проектування та побудова фотоелектричних пристроїв із системою охолодження із сонячних елементів замість сонячних панелей є одним із найважливіших завдань сьогодення. В даній науковій роботі були досліджені різні форми фотоелектричних пристроїв у форматі 3D, які можуть охолоджуватися шляхом обертання навколо власної осі. У цих пристроях використовуються переважно трикутні та прямокутні сонячні елементи, тому вплив форми поперечного перерізу на фотоелектричні параметри монокристалічних та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів досліджено експериментально та за допомогою моделювання. Результати показали, що сонячні елементи на основі полікристалічного кремнію можна вирізати прямокутними та використовувати у виробництві фотоелектричних пристроїв у формі призми, а сонячні елементи на основі монокристалічного кремнію можна використовувати для трикутного вирізання та у виробництві фотоелектричних пристроїв пірамідальної форми. На основі цих результатів експериментально досліджено фотоелектричний пристрій у формі шестикутної призми із прямокутного сонячного елементу на основі полікристалічного кремнію. Температура поверхні пристрою становила 50 °C без обертання, а напруга холостого ходу складала 13,12 В. У діапазоні швидкості обертання 0-6 рад/с напруга холостого ходу пристрою різко зросла на 0,36 В, а температура поверхні знизилася на 9,4 °C. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
