Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]]

Автори	В. Максимич¹, Д. Цалус², Д. Матулка¹, П. Хабецкі², Р. Швець¹, Н. Покладок¹, Ф. Іващишин¹^,²
Афіліація	¹Інститут прикладної математики та фундаментальних наук, Національний університет “Львівська політехніка”, вул. Степана Бандери, 12, 79013 Львів, Україна ²Електротехнічний факультет, Ченстоховський політехнічний університет, вул. Я.Г. Домбровського, 69, 42-201 Ченстохова, Польща
Е-mail
Випуск	Том 14, Рік 2022, Номер 5
Дати	Одержано 30 серпня 2022; у відредагованій формі 24 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022
Цитування	В. Максимич1, Д. Цалус та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 №5, 05020 (2022)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05020
PACS Number(s)	72.80.Jc, 82.75. – z
Ключові слова	InSe (5) , Тіосечовина, Антрацен, Клатрат (2) , Імпедансна спектроскопія (10) , Квантова ємність (2) , Фото-ЕРС (5) .
Анотація	Інтеркаляційним методом сформовано під дією світла 2D структуру ієрархічної будови типу субгосподаргосподаргість – клатрат InSe[CS(NH2)2[С14Н10]]. В даному випадку як напівпровідникову 2D матрицю використано шаруватий монокристал InSe, тіосечовина (CS(NH2)2) виступала як супрамолекулярний кавітанд, а антрацен (С14Н10) – як фотоелектрет. Освітлення при синтезі використовувалося для фотоелектретизації антрацену. Методом імпедансної спектроскопії було досліджено електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]]. В результаті зафіксовано прояв фотоіндукованої квантової ємності, природа якої пов’язана із дискретизацією енергетичного спектру та скінченністю часів тунелювання. За результатами дослідження спектрів термостимульованого розряду встановлено, що клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] властива релаксація гомозаряду та широкі смуги із квазінеперервним спектром локалізованих станів. Поведінка ВАХ свідчить про прояв фото-ЕРС величиною + 23,5мВ.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]
2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]