Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням
| Автори | A. Saoudi1,2 , L. Aissani3,4, S. Boulahrouz1,5, L. Radjehi4,6, O. Chahaoui1,2, M. Mebarki7, H. Djebaili1,2 |
| Афіліація |
1Mechanical Engineering Department, Abbes Laghrour-Khenchela University, PO Box 1252, Khenchela 40004, Algeria 2Engineering and Advanced Materials Science Laboratory (ISMA), Abbes Laghrour- Khenchela University, PO Box 1252, Khenchela 40004, Algeria 3Laboratory of Active Components and Materials, Larbi Ben M’Hidi University, Oum El Bouaghi, Algeria 4Matter Science Department, Abbes Laghrour-Khenchela University, PO Box 1252, Khenchela 40004, Algeria5` Electromechanical Engineering Laboratory, Annaba 23000, Algeria 5Electromechanical Engineering Laboratory, Annaba 23000, Algeria 6LASPIA Laboratoire des Structures, Propriétés et Interactions Inter Atomiques, Khenchela University, Khenchela 40000, Algeria 7Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE), 2, Bd Frantz Fanon, BP 140 Alger 7-Merveilles, 16038, Algeria |
| Е-mail | saoudi_abdenour@univ-khenchela.dz |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 02 вересня 2022; у відредагованій формі 20 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Цитування | A. Saoudi, L. Aissani, S. Boulahrouz, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05021 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05021 |
| PACS Number(s) | 62.20.Qp, 68.60.Dv |
| Ключові слова | Поверхня росту (2) , Шорсткість (6) , Довжина дифузії, Кореляція (6) , Коефіцієнти масштабування. |
| Анотація |
У роботі описано теоретичну модель з використанням програмного забезпечення MATLAB, яка описує вплив довжини поверхневої дифузії D на топографію та динаміку росту тонких шарів, отриманих шляхом випадкового осадження. Одержані результати показують, що поверхня інтерфейсу стає більш гладкою при більшій довжині дифузії D. Для D > 0 показник росту змінюється відповідно до двох різних режимів, β1 = 0,5 представляє повністю випадковий режим росту, а показник β2 представляє режим дифузії частинок у напрямку до пустот, β2 зменшується зі збільшенням D. Шорсткість інтерфейсу ніколи не насичується при нульовій довжині дифузії, тоді як показник шорсткості приймає нижче значення приблизно α = 0,1450 при D = 4. Нарешті, коефіцієнти масштабування β, α та z безпосередньо залежать від довжини дифузії D і не пов'язані з розміром підкладки L. Отримані результати узгоджуються з іншими попередніми теоретичними та експериментальними роботами. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
