Гетерошари гексагонального α-CdTe
| Автори | Тетяна Мазур1, Михайло Сльотов2, Мирослав Мазур1, Олексій Сльотов2 |
| Приналежність |
1Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, Івано-Франківськ, Україна 2Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна |
| Е-mail | tetiana.mazur@nung.edu.ua |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 10 вересня 2022; у відредагованій формі 24 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | Тетяна Мазур, Михайло Сльотов, Мирослав Мазур, Олексій Сльотов, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05029 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05029 |
| PACS Number(s) | 61.43.Gt, 68.37.Ps, 78.30.Fs, 78.55. – m |
| Ключові слова | Телурид кадмію (6) , Гексагональна структура, Висока квантова інтенсивність випромінювання, Ізовалентні атоми. |
| Анотація |
Аргументовано важливість прямої зонної структури CdTe як необхідної умови при створенні на його основі високоефективних приладів фотоелектроніки. Показано можливість отримання гетерошарів телуридів кадмію методом ізовалентного заміщення. Визначено передумови виготовлення, та розроблено технологічні режими ізотермічного відпалу базових кристалів -CdSe і -CdS. Вперше отримано методом ізовалентного заміщення гетерошари з мало використовуваною нетиповою гексагональною модифікацією -CdTe кристалічної гратки із високо стабільними властивостями. Розроблено методику і досліджено методом -модуляції оптичного опромінення базові параметри зонної структури і характеристики люмінесценції. Встановлено ширину забороненої зони Eg 1,56 еВ і вперше визначено параметри зонної структури, а саме, підзон валентної зони, відщеплених внаслідок дії кристалічного поля Δcr ≈ 0,063 еВ і спін-орбітальної взаємодієї Δso ≈ 0,38 еВ. Встановлено високу квантову ефективність ≈ 7-9% домінуючого у крайовій області випромінювання. Воно визначається легуванням ізовалентними домішками, якими є атоми базової підкладки. Важливою передумовою отримання високої інтенсивності (порівняно з кристалами CdTe з ~ 0,1-0,2%) є формування перехідного шару відповідного твердого розчину між складовими гетероструктур, який істотно зменшує концентрацією дефектів та неузгодженість кристалічних і термічних параметрів контактуючих матеріалів. Отримані особливості кристалічної структури забезпечують умови формування ефективної люмінесценції, базовими механізмами якої є міжзонні випромінювальні переходи і домінуюча анігіляція зв’язаних на ізовалентних домішках екситонів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
18) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
19) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
20) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
21) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
22) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
23) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
24) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
25) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
26) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
27) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
28) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
