Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію
| Автори | J. Gulomov , J. Ziyoitdinov, I. Gulomova |
| Афіліація |
Andijan State University, 129, Universitet St., 170100 Andijan, Uzbekistan |
| Е-mail | jasurbekgulomov@yahoo.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 06 серпня 2022; у відредагованій формі 22 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Цитування | J. Gulomov, J. Ziyoitdinov, I. Gulomova, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05010 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05010 |
| PACS Number(s) | 85.60.Bt, 78.20.Bh, 84.60.Jt |
| Ключові слова | Аморфний кремній (7) , Моделювання (81) , Сонячний елемент (34) , Чисельний метод (2) , Товщина (17) , Температура (41) . |
| Анотація |
Одним із важливих завдань фотовольтаїки є конструювання гнучких сонячних елементів, стійких до впливу навколишнього середовища та призначених для покриття поверхонь різної форми. Таким чином, у дослідженні були вивчені сонячні елементи на основі аморфного кремнію. Аморфний кремній має більший коефіцієнт поглинання та ширину забороненої зони, ніж кристалічний кремній. Високий коефіцієнт поглинання доводить, що в тонких плівках можна досягти високого ККД. Згідно з отриманими результатами моделювання, максимальні значення напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД сонячного елемента на основі аморфного кремнію становили 1,2044 В; 13,49 мА/см2; 80,03 % та 12,18 % відповідно, і були досягнуті при товщинах основи 35, 20, 3 і 15 мкм відповідно. Було вивчено вплив температури на сонячний елемент на основі аморфного кремнію оптимальної товщини, оскільки аморфний кремній дуже чутливий до зовнішніх впливів, таких як інтенсивність світла та температура. Тому важливо вивчити вплив температури на властивості сонячних елементів на основі аморфного кремнію. З підвищенням температури напруга холостого ходу зменшувалася, але струм короткого замикання, коефіцієнт заповнення та ККД збільшувалися. Температурні коефіцієнти напруги холостого ходу, струму короткого замикання, коефіцієнта заповнення та ККД становлять відповідно − 1,68×10 – 3; 2,24×10 – 3; 4,5×10 – 5 та 2,27×10 – 4 1/K. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
11) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
12) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
