Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G
| Автори | Es-saleh Anouar1, Bendaoued Mohammed2, Rihab Roubhi1, Lakrit Soufian3, Sudipta Das4 , Atounti Mohamed3, Faize Ahmed3 |
| Приналежність |
1Mathematics and Information Systems Laboratory, FP of Nador, Mohammed First University, Oujda, Morocco 2LMIET FST of Settat, University of Hassan 1st, Morocco 3Mathematics and Information Systems Laboratory, EST of Nador, Mohammed First University, Oujda, Morocco 4Electronics and Communication Engineering, IMPS College of Engineering & Technology, Malda, West Bengal, India |
| Е-mail | sudipta.das1985@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 02 липня 2022; у відредагованій формі 21 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | Es-saleh Anouar, Bendaoued Mohammed, Rihab Roubhi, et al., Ж. нано- електроню ф 14 № 5, 05017 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05017 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba |
| Ключові слова | Додатки 5G (2) , Дводіапазонний (5) , Еліпсоподібна антена, Мм-хвиля, Патч-антена (9) . |
| Анотація |
У роботі описується конструкція патч-антени еліптичної форми для додатків 5G на недорогій підк-ладці Rogers RO4003C з діелектричною проникністю 3,55 і розміром 14 х 6 х 0,2 мм3 в двох діапазонах (27 ГГц і 38 ГГц). Запропонована антена складається з ділянки з п’ятьма еліпсами та щілинами одна-кової форми, а також часткової площини заземлення для збільшення смуги пропускання. На обох діа-пазонах антена демонструє чудове узгодження. Результати вказують на наявність двох резонансних ча-стот 27 ГГц і 38 ГГц, які визначають дві різні смуги пропускання зворотних втрат 10 дБ, рівних відпо-відно 0,490 ГГц і 0,420 ГГц. Крім того, результуюче підсилення має гарне значення та є особливо вра-жаючим, враховуючи невеликий розмір структури, з піковим значенням 5,731 дБ на частоті 26,75 ГГц і піковим значенням 4,75 дБ на частоті 38 ГГц. Ця антена була досліджена за допомогою Computer Simulation Technology-Microwave Studio (CST). Для отримання оптимальних результатів було проведе-но параметричний аналіз, щоб з’ясувати вплив довжини заземленої поверхні, вплив радіуса щілин та положення щілин на характеристики запропонованої антени. Достатня смуга пропускання імпедансу, бажані односпрямовані стабільні діаграми спрямованості, задовільний коефіцієнт підсилення, ефекти-вність випромінювання, а також мініатюрний розмір роблять запропоновану антену придатним канди-датом для майбутніх застосувань 5G. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
14) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
15) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
16) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
