Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах
| Автори | Noubeil Guermat1 , Warda Darenfad2 , Kamel Mirouh2, Mehdi Kalfallah1, Mehdi Ghoumazi3 |
| Приналежність |
1Department of Electronics, Faculty of Technology, University Mohamed Boudiaf of M’sila, 28000 M’sila, Algeria 2Thin Films and Interfaces Laboratory (LCMI), University of Constantine 1, 25000 Constantine, Algeria 3Research Unit in Optics and Photonics (UROP), Center for the Development of Advanced Technologies (CDTA), University of Setif-1, 19000 Setif, Algeria |
| Е-mail | noubeil.guermat@univ-msila.dz |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 16 травня 2022; у відредагованій формі 19 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Посилання | Noubeil Guermat, Warda Darenfad, Kamel Mirouh, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05013 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05013 |
| PACS Number(s) | 82.30.Lp |
| Ключові слова | Тонкі плівки (64) , Легований фтором SnO2, Розпилювальний піроліз (4) , Контактний кут (5) , Супергідрофобний. |
| Анотація |
Полікристалічні плівки нелегованого та легованого фтором SnO2 (FTO) наносяться на скляну під-кладку методом розпилювального піролізу при 400 °C. Досліджено вплив концентрації фтору (8, 10 і 12 %) на структурні, морфологічні, оптичні та електричні властивості плівок FTO. Наші результати XRD показують, що F-SnO2 все ще має ту саму структуру рутилу, що й нелегований SnO2, з покраще-ною кристалізацією для легованих плівок та без виявлення іншої фази. Виміряні кути контакту становлять < 90° для нелегованих плівок та плівок, легованих 8 % F, що підтверджує гідрофільний харак-тер, тоді як інші леговані плівки (SnO2:10 % F і SnO2:12 % F) демонструють гідрофобний характер при значеннях кута контакту > 90° та супергідрофобний характер (CA = 140°) для тонкої плівки SnO2:12 % F. Для плівки SnO2, легованої 12 % F, спостерігається вищий коефіцієнт пропускання 83 %, ширина забороненої зони 3,9 еВ і менший безлад (287,68 меВ). Крім того, питомий електричний опір (ρ), концентрація носіїв (n) і холлівська рухливість (μ) визначаються за допомогою вимірювань ефекту Холла, і виявлено, що всі розроблені тонкі плівки мають n-тип провідності. Найнижчий питомий опір 2,245 x 10 – 4 Омxсм і найвища холлівська рухливість 24.55 см2xВ – 1xс – 1 отримані при концентрації 12 % F. Результати свідчать про те, що плівку FTO з 12 % F можна використовувати як прозорий провідний оксидний фронтального електроду для плівкових сонячних елементів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки [05005-1-05005-5]
6) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
7) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
8) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
9) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
10) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
11) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
12) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
