Мікродефекти та електричні властивості кристалів β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, вирощених методом зонної плавки
| Автори | В. Васильців , Л. Костик , О. Цвєткова , М. Кушлик, Д. Слободзян, Р. Дідик, Б. Павлик , А. Лучечко |
| Афіліація |
Кафедра сенсорної та напівпровідникової електроніки Львівського національного університету імені Івана Франка, вул. Тарнавського, 107, 79017 Львів, Україна |
| Е-mail | andriy.luchechko@lnu.edu.ua |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Дати | Одержано 10 серпня 2022; у відредагованій формі 22 жовтня 2022; опубліковано online 28 жовтня 2022 |
| Цитування | В. Васильців, Л. Костик, О. Цвєткова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 5, 05005 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05005 |
| PACS Number(s) | 61.72.Qq, 72.20. – i |
| Ключові слова | Монокристали β-Ga2O3 та β-Ga2O3:Mg, Мікродефекти, Провідність (94) , Концентрація носіїв заряду (4) , Енергія активації (12) . |
| Анотація |
Досліджено мікродефекти в монокристалах β-Ga2O3 і β-Ga2O3:0.1 % Mg, вирощених методом оптичної зонної плавки з радіаційним нагріванням. На поверхні (100) та в об'ємі нелегованих кристалів β-Ga2O3 виявлено пористі дефекти трубоподібної форми. Такі дефекти мають діаметр до 1 мкм і довжину до 100 мкм, витягнуті по осі [010]. Легування оксиду галію іонами магнію приводить до зменшення концентрації дефектів та зміни їхньої форми. Розраховано концентрацію та рухливість носіїв електричного заряду в нелегованих у β-Ga2O3 кристалах. Оцінено енергії активації провідності досліджуваних кристалів. Виявлено та обговорено певні кореляції між умовами вирощування кристалів, легуванням і швидкістю випаровування Ga2O з розплаву та густиною дефектів, що надає аспекти подальшого розвитку матеріалу. Також проаналізовано механізми утворення цих дефектів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Структурні, морфологічні та оптичні характеристики диселеніду кобальту, вирощеного методом прямого переносу пари (DVT) [05001-1-05001-4]2) Мікрохвильові властивості ГНП-полімерних композитів з сегрегованою провідною мережею [05002-1-05002-5]
3) Характеристики комбінованого (Si та Ge) інвертора FinFET-CMOS на основі співвідношення транзисторів навантаження до драйверу [05003-1-05003-6]
4) На шляху до інтелектуальних систем моніторингу: алгоритми штучного інтелекту на основі виявлення та діагностики несправностей на сонячних фотоелектричних електростанціях [05004-1-05004-5]
5) Множинні трихвильові резонансні взаємодії в пролітній секції двопотокового супергетеродинного ЛВЕ з поздовжнім електричним полем [05006-1-05006-6]
6) Розрахунок електронної хвильової функції та потенціалу кристала в напівпровіднику зі структурою сфалериту при заданій температурі [05007-1-05007-5]
7) Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням [05008-1-05008-6]
8) Еволюційна анізотропна поведінка листа DC04 з використанням функції Hill48 за гіпотезою неасоційованого правила потоку [05009-1-05009-5]
9) Вплив температури та товщини основи на фотоелектричні параметри сонячних елементів з аморфного кремнію [05010-1-05010-6]
10) Енергетичні характеристики майже сферичних металевих наночастинок [05011-1-05011-5]
11) Дослідження моно- та полікристалічних кремнієвих сонячних елементів різної форми для фотоелектричних пристроїв у форматі 3D: експеримент та моделювання [05012-1-05012-8]
12) Леговані фтором супергідрофобні наноквіти SnO2 (FTO), осаджені за допомогою розпилювального піролізу для застосування в сонячних елементах [05013-1-05013-6]
13) Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки [05014-1-05014-5]
14) Реалізація та аналіз L-подібного тунельного польового транзистора з використанням затвора та оксидної інженерії [05015-1-05015-4]
15) Effect of Phase Contrast and Geometrical Parameters on Bending Behavior of Sandwich Beams with FG Isotropic Face Sheets [05016-1-05016-6]
16) Розробка та аналіз дводіапазонної (27/38 ГГц) патч-антени еліптичної форми для додатків 5G [05017-1-05017-5]
17) Оцінка стану заліза у вологих зонах за допомогою георадара з антеною-метеликом, яка працює на частоті 1,6 ГГц [05018-1-05018-6]
18) Прогнозування електрофізичних і магнітних властивостей багатокомпонентних (високоентропійних) плівкових сплавів [05019-1-05019-4]
19) Електропровідні та поляризаційні властивості клатрату InSe[CS(NH2)2[С14Н10]] [05020-1-05020-6]
20) Вплив довжини поверхневої дифузії на шорсткість тонких шарів, отриманих випадковим осадженням [05021-1-05021-5]
21) Теоретичне дослідження впливу упаковки на температуру оптоволоконних кабелів [05022-1-05022-5]
22) Дослідження фотореактивності неорганічних нанокристалів зі значними органічними кольорами [05023-1-05023-10]
23) Кінетика фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії [05024-1-05024-5]
24) Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave [05025-1-05025-4]
25) Порівняння структурних та оптичних властивостей плівок CdSe, вирощених методами CSD та CBD [05026-1-05026-5]
26) Фрактальна структура нанопористого вуглецю, отриманого гідротермальною карбонізацією рослинної сировини [05027-1-05027-4]
27) Зондування інтерфейсу за допомогою раманівської спектроскопії [05028-1-05028-4]
28) Гетерошари гексагонального α-CdTe [05029-1-05029-5]
29) Теоретичне дослідження шпінельної структури CuCr2O4 в тетрагональній фазі з використанням теорії функціоналу густини [05030-1-05030-7]
