Температурні характеристики кремнієвого нанопровідного транзистора у залежності від товщини оксиду
| Автори | Hani Taha AlAriqi1, Waheb A. Jabbar1 , 2 , , Yasir Hashim3, Hadi Bin Manap1 |
| Приналежність |
1 Faculty of Engineering Technology, Universiti Malaysia Pahang, 26300 Gambang, Pahang, Malaysia 2 IBM Centre of Excellence, University Malaysia Pahang, 26300, Gambang, Pahang, Malaysia 3 Computer Engineering Department, Faculty of Engineering, Ishik University, Erbil-Kurdistan, Iraq |
| Е-mail | waheb@ieee.org |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 3 |
| Дати | Одержано 17 січня 2019; у відредагованій формі 10 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019 |
| Посилання | Hani Taha AlAriqi, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim, Hadi Bin Manap, J. Nano- Electron. Phys. 11 No 3, 03027 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03027 |
| PACS Number(s) | 00.00.60, 00.00.68 |
| Ключові слова | SiNWT (2) , Чутливість до температури, MuGFET (2) , Моделювання (75) . |
| Анотація |
Серед різних методів зондування та моніторингу датчики на основі на польових транзисторів (FET), привернули значну увагу як з боку промисловості, так і з академічних кіл. Завдяки своїм унікальним характеристикам, таким як невеликі розміри, легка вага, низька вартість, гнучкість, швидка реакція, стабільність і можливість подальшого зменшення масштабу, кремнієвий нанопровідний транзистор (SiNW-FET) може служити ідеальним наносенсором. Це найбільш імовірний наступник нанорозмірних пристроїв на базі FET. Однак, оскільки розміри (довжина та діаметр) каналу SiNWT зменшуються, електричні та температурні характеристики SiNWT повинні змінитися, тим самим погіршуючи роботу транзистора. Хоча застосування SiNWT як біологічних та/або хімічних сенсорів широко вивчено в літературі, менше уваги було приділено використанню таких транзисторів як датчиків температури. Отже, ця робота присвячена дослідженню температурної чутливості SiNWT в залежності від товщини оксидного каналу, а також представляє можливість використання його як нанотемпературного датчика. Інструмент моделювання MuGFET був використаний для дослідження температурних характеристик нанодроту. Моделювалися вольт-амперні характеристики з різними значеннями температури і з різною товщиною затворів нанодротів (товщина оксиду TOX = 1, 2, 3, 4 і 5 нм). Для вимірювання температурної чутливості SiNWT було запропоновано підключення до діодного режиму метал-оксидного напівпровідника (MOS). Було досліджено кілька робочих напруг (від 0.25 до 5 В) з різною робочою температурою (250-450 K). Отримані результати показують, що найвища температурна чутливість досягалася за рахунок збільшення товщини оксиду до 5 нм. Вплив розглянутої температури на характеристики SiNWT свідчить про можливість його використання як наносенсора температури. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Квантово-хімічне моделювання дивакансійних дефектів на поверхні алмазу С(100)-2×1 [03001-1-03001-6]2) Кристалічна структура, оптичні та провідні властивості наночастинок ZnO, легованих фтором [03002-1-03002-5]
3) Воднева обробка золотого контакту на кремнії [03003-1-03003-5]
4) Вимірювання температури стінки і ефекти на поверхні ракетного комплексa на основі напівпровідникового діода і електронної системи [03004-1-03004-7]
5) Вплив нуклеїнових кислот на окислення та фотолюмінесценцію поруватого кремнію [03005-1-03005-5]
6) Вплив сильного магнітного поля на енергетичні спектри двох донорів у сфалеритовій квантовій точці [03006-1-03006-4]
7) Електро- та теплопровідність потрійних композитів графітові нанопластинки/TiO2/епоксидна смола [03007-1-03007-7]
8) Вплив ультразвукового випромінювання на біологічні тканини: фізичні основи і технологічні принципи [03008-1-03008-4]
9) Структурні і фазові особливості формування квазікристалічних плівок Ti-Zr-Ni при нагріванні [03009-1-03009-4]
10) Модифікація дефектної структури кремнію під впливом радіації [03010-1-03010-6]
11) Вплив температури обробки на оптичні та морфологічні параметри органічного перовскіту CH3NH3PbI3, отриманого методом спрей-піролізу [03011-1-03011-4]
12) Структурні особливості формування пористого вуглецевого матеріалу, активованого гідроксидом калію [03012-1-03012-5]
13) Структурна інженерія і механічні властивості (Ti-V-Zr-Nb-Hf-Ta)N покриттів отриманих при різному тиску [03013-1-03013-6]
14) Полімерні матеріали, модифіковані напівпровідниковими речовинами, у вузлах тертя гальмівних пристроїв [03014-1-03014-8]
15) Вплив вакансій і пор, що виникають при опроміненні в поверхневому шарі металу, на струм польової емісії [03015-1-03015-5]
16) Електроосадження та механічні характеристики композитних покриттів Ni/SiC [03016-1-03016-5]
17) Визначення оптичних характеристик нанопокриттів з використанням перетворення Лоренца [03017-1-03017-6]
18) Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення [03018-1-03018-6]
19) Вплив двовимірних дефектів на нефундаментальні втрати ефективності в сонячних елементах із мультикристалічного кремнію [03019-1-03019-5]
20) Поверхнево-бар’єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості [03020-1-03020-6]
21) Золь-гель синтез, структура та оптичні властивості нікель-марганцевих феритів [03021-1-03021-5]
22) Дифузійне насичення сталі У8А в суміші порошків металів за участю хлористого амонію [03022-1-03022-7]
23) Особливості кристалізації аморфного срібла при 77 К в умовах лазерного ефекту Гершеля [03023-1-03023-4]
24) Моделювання ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходу n-MgxZn1-xO/p-SnS із контактами ZnO:Al та ITO [03024-1-03024-7]
25) Використання методу мікродугового плазмового оксидування для підвищення антифрикційних властивостей поверхні титанового сплаву [03025-1-03025-5]
26) Тривимірні надзвичайно короткі оптичні імпульси в графені з неоднорідностями [03026-1-03026-4]
27) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії в сполучених суцільних середовищах [03028-1-03028-7]
28) Підвищення точності широкоапертурного фотометра на основі цифрової камери [03029-1-03029-6]
29) Електрофізичні властивості багатошарових плівкових систем на основі пермалою та срібла [03030-1-03030-4]
30) Вплив ультразвукової обробки на процеси фазоутворення в аморфному сплаві Fe76Ni4Si14B6 [03031-1-03031-4]
31) Модифікація оптичних властивостей поверхневих шарів та тонких плівок лазерною обробкою [03032-1-03032-5]
32) Оцінка впливу гідродинамічного режиму роботи грануляційного обладнання на нанопористу структуру гранул N4HNO3 [03033-1-03033-5]
33) Ефективний дизайн для копланарного суматора з нерівномірною точкою в технології клітинних автоматів [03034-1-03034-4]
34) Термостимульована люмінесценція і провідність кристалів β-Ga2O3 [03035-1-03035-7]
35) Вплив ортофосфорної кислоти на морфологію нанопористих вуглецевих матеріалів [03036-1-03036-6]
36) Формування впорядкованих масивів магнітних наночастинок з використанням різних методів отримання [03037-1-03037-5]
37) Формування графітових наноструктур на поверхні шаруватого кристалу n-InSe [03038-1-03038-3]
38) Огляд доступних теоретичних моделей для феромагнетизму за кімнатної температури в розбавлених магнітних напівпровідниках [03039-1-03039-3]
39) [05031-1-05031-1]
40) [05031-1-05031-1]
