Поверхнево-бар’єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості

Автори Р. Петрусь1, Г. Ільчук1, А. Кашуба1, 2 , І. Семків1, Е. Змійовська1, Ф. Гончар1, Р. Лис2
Приналежність

1Національний університет “Львівська політехніка”, кафедра загальної фізики, вул. Ст. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

2Львівський національний університет ім. І. Франка, факультет електроніки та комп'ютерних технологій, вул. Тарнавського, 107, 79005 Львів, Україна

Е-mail
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 3
Дати Одержано 21 лютого 2019; у відредагованій формі 0 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019
Посилання Р. Петрусь, Г. Ільчук, А. Кашуба та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 3, 03020 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03020
PACS Number(s) 73.30. + y, 73.63. – b, 73.40.Ei
Ключові слова Метод магнетронного напилення, Тонкі плівки (36) , CdS (25) , Бар’єр Шотткі (3) , Фотопровідність (3) .
Анотація

Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей поверхнево-бар’єрних структур (ПБС) Au/n-CdS, одержаних ВЧ магнетронним розпиленням. Встановлено, що плівки кристалізуються в просторовій групі P63mc. Приводяться результати дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) для неосвітлених та освітлених плівок. На основі поведінки ВАХ розраховано коефіцієнт ідеальності, висоту потенціального бар'єра зі сторони металу, струм насичення, послідовний опір структури, коефіцієнт випрямлення та висоту вбудованого потенціалу для темнової та освітленої структури. Встановлено, що коефіцієнт випрямлення в процесі освітлення ПБС Au/n-CdS імітатором сонячного випромінювання (1000 Вт/м2) зростає у порівнянні з темновою ВАХ від 3 до 22. Домінуючим механізмом переносу заряду, який встановлюється з темнових I-V характеристик напруг прямого зсуву, є багатоступеневі тунельні та рекомбінаційні процеси із залученням поверхневих станів на металургійний інтерфейс Au/n-CdS. Для освітленої прямої ВАХ за зміщень  0,6 В переважає тунельно-рекомбінаційний механізм перенесення заряду, а за зміщень  0.6 В – зростає внесок механізму тунелювання. При зворотному зміщені для темнової та освітленої ВАХ за зміщень  0,3 B домінуючим механізмом струмопроходження є тунелювання носіїв заряду або ж струм, обмежений просторовим зарядом у режимі насичення швидкості, а за зміщень  0,3 B – струм, обмежений просторовим зарядом в режимі рухливості. Результати дослідження фотопровідності (ФП) дозволили оцінити пропускну межу та ширину забороненої зони отриманої плівки.

Перелік посилань