Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення

Автори Р.М. Пелещак , О.В. Кузик, О.О. Даньків
Приналежність

Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, вул. Івана Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна

Е-mail dankivolesya@ukr.net
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 3
Дати Одержано 05 березня 2019; у відредагованій формі 10 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019
Посилання Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 3, 03018 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03018
PACS Number(s) 61.46. – w, 43.35. + d
Ключові слова Міжвузлові атоми, Вакансії (2) , Лазерне опромінення (3) , Деформація (25) , Дифузія (22) .
Анотація

Розроблено теорію самоузгодженого деформаційно-дифузійного перерозподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів та вакансій) у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення. Ця теорія враховує дифузію дефектів у неоднорідно-деформованому полі (створеному як наявністю самих дефектів, так і градієнтом температури) та нелокальну взаємодію між дефектами та атомами матриці. Встановлено, що залежно від інтенсивності лазерного опромінення, температури підкладки та характерної відстані дії лазерного променя на поверхні напівпровідника чи в його глибині можуть формуватися самоорганізовані наноструктури точкових дефектів. Проведені теоретичні розрахунки добре узгоджуються з експериментальними даними інших наукових робіт.

Перелік посилань