Термостимульована люмінесценція і провідність кристалів β-Ga2O3

Автори А. Лучечко, В. Васильців, Л. Костик, О. Цвєткова, Б. Павлик
Приналежність

Кафедра сенсорної та напівпровідникової електроніки Львівського національного університету ім. І. Франка, вул. Тарнавського, 107, 79017 Львів, Україна

Е-mail andriy.luchechko@lnu.edu.ua
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 3
Дати Одержано 17 січня 2019; у відредагованій формі 14 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019
Посилання А. Лучечко, В. Васильців, Л. Костик, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 3, 03035 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03035
PACS Number(s) 32.30.Jc, 78.55. – m, 78.60.Kn
Ключові слова Монокристали β-Ga2O3, Термостимульована люмінесценція (3) , Термостимульована провідність, Енергія активації (6) , Пастки (2) .
Анотація

Розглянуто термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) та термостимульовану провідність (ТСП) нелегованих монокристалів β-Ga2O3. Досліджувані зразки являли собою монокристали β-Ga2O3, вирощені методом оптичної зони плавки, які потім піддавали відпалу в атмосфері кисню або аргону. Отримані спектри фотолюмінесценції є типовими для монокристалів β-Ga2O3: вони містять широку смугу випромінювання матриці при 320-550 нм, а також слабку люмінесценцію з максимумом при 700 нм приписану ненавмисно введеній домішці Cr3+. Після опромінення Х-променями зразки демонструють інтенсивну ТСЛ в діапазоні температур 85-500 K. На кривих ТСЛ і ТСП цих кристалів наявні три низькотемпературні піки при 116, 147 і 165 K. Глибини пасток, що відповідають за ці піки, становлять 0.15, 0.2 і 0.3 еВ, відповідно. Високотемпературні піки ТСЛ при 354, 385 і 430 K з відповідними енергіями активації 0.84, 1.0 і 1.1 еВ спостерігаються в зразках, відпалених в атмосферах кисню або аргону. Криві TСП добре узгоджуються з результатами дослідження ТСЛ. Встановлена кореляція між відпалом кристалів в окислювальній та інертній атмосферах і власними дефектами в монокристалах β-Ga2O3.

Перелік посилань