Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник
| Автори | В.С. Дмитрієв |
| Афіліація | Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006, Запоріжжя, Україна |
| Е-mail | dems562@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 25.05.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Цитування | В.С. Дмитрієв, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 1, 01016 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01016 |
| PACS Number(s) | 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi |
| Ключові слова | Арсенід галію (7) , Срібло (7) , Бар’єр Шотткі (3) , Приконтактна область (2) , Відпал (33) , Перехідний шар (3) , Структура (228) . |
| Анотація | В даний час дослідження і розробка гетеропереходів ведуться в напрямках розробки технологічних режимів створення проміжних фаз на межі метал-напівпровідник для зниження впливу поверхневих станів на роботу приладів з бар'єрами Шотткі. Недостатньо вивчений вплив міжфазної межі розділу на висоту бар'єру Шотткі φBn, хоча передбачається, що його електрофізичні властивості багато в чому визначаються станом структури в зоні контакту. Досліджувалися структури Ag/n-GaAs (111). Параметри підкладки: n-n+GaAs (111) В епітаксійний монокристалічний, dе.ш 2 мкм, nе.ш. 21016 см – 3, nпідкл 1018 см – 3, 5000 см2/(Вc). Бар'єрні переходи виготовляли в вакуумі (р 2,66 10 – 3 Па) термічним випаровуванням. GаAs- підкладки оброблялись в суміші толуолу і метанолу (1:2), в поліруючому травнику 3H2SO4-1H2O2-1H2O; витримувалися в діоксиянтарній кислоті НООС-СН(ОН)-СН(ОН)-СООН. Відпал структур проводили в інтервалі температур 723 ... 873 К протягом 5...15 хвилин. Рекомендований режим термічної обробки для отримання бар'єрів Шотткі Ag/n-GaAs (111) з висотою потенційного бар'єру порядка 0,95 В: температура відпалу – 823 К, тривалість відпалу ‑ 10 хвилин. Встановлений вплив температурного чинника на дифузію миш'яку і галію в плівку срібла, що призводить до формування перехідних областей неоднорідного хімічного складу. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
17) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
