Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості
| Автори | П.М. Фочук1 , Є.С. Никонюк2 , З.І. Захарук1 , Г.І. Раренко1, А.С. Опанасюк3 , М.О. Ковалець2, В.Я. Левшенюк2 |
| Афіліація | 1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна 2 Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна, 11, 33028 Рівне, Україна 3 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | fochukp@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 02.11.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Цитування | П.М. Фочук, Є.С. Никонюк, З.І. Захарук, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 1, 01007 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01007 |
| PACS Number(s) | 71.55.Gs, 72.20.Jv, 81.10.Fq |
| Ключові слова | Телурид кадмію (10) , Стехіометрія (5) , Відпал (33) , Електрофізичні властивості (7) , Включення іншої фази. |
| Анотація | Показано, що електрофізичні характеристики кристалів телуриду кадмія з надстехіометричним кадмієм, вирощених методом Бріджмена, визначаються передростовою температурою розплаву. У випадку невеликого перегріву розплаву (Т 15 К) були одержані кристали р-типу з широким діапазоном електричних параметрів: концентрацією дірок р (10101016) см – 3 і рухливістю р (1070) см2/(Вс) при 300 К. Якщо ж розплав був попередньо значно перегрітим (ΔТ ≈ 4065 К), то були вирощені однорідні кристали n-типу, в яких n (1014 1015) см – 3, n (5001110) см2/(Вс) при 300 К. Кристали n-типу зберігали стабільність при нагріванні до 720 К, в цей же час в кристалах р-типу при нагріванні до Т > 370 К спостерігалися релаксаційні процеси гістерезисного типу. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
8) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
9) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
10) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
11) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
12) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
13) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
14) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
15) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
16) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
17) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
