Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si

Автори	В.М. Береснєв¹ , О.В. Соболь² , О.Д. Погребняк³ , С.В. Литовченко¹ , В.А. Столбовой⁴, П.А. Сребнюк¹, В.Ю. Новіков⁵, І.В. Дощечкіна⁶, А.А. Мейлехов² , А.А. Постельник² , У.С. Нємченко¹, Б.А. Мазилін¹, В.В
Приналежність	¹ Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 4, 61000 Харків, Україна ² Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61000 Харків, Україна ³ Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна ⁴ Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна ⁵ Бєлгородський національний дослідницький університет, вул. Перемоги, 85, 308015 Бєлгород, Росія ⁶ Харківський національний автодорожній університет, вул. Я. Мудрого, 25, 61200 Харків, Україна
Е-mail
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 1
Дати	Одержано 06.12.2016, у відредагованій формі - 17.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017
Посилання	В.М. Береснєв, О.В. Соболь, О.Д. Погребняк та ін. Ж. нано- електроню фіз. 9 №1, 01033 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(1).01033
PACS Number(s)	61.46. – w, 62.20.Qp, 62-65. – g
Ключові слова	Нітридні покриття (7) , Багатошарові покриття (6) , Елементній склад, Структура (212) , Мікро-твердість.
Анотація	Проанализізовано вплив умов осадження на структурно-фазовий стан і термічну стабільність вакуумно-дугових покриттів на основі шарів Ti(Al):Si. Було досліджено однофазні одношарові покриття, а також багатоперіодні бішарові покриття з прошарками другої фази з нітриду одного з трьох металів – Mo, Cr, Zr. Було виявлено, що в покритті можуть формуватися гратки гексагонального і кубічного типів, причому перехід до кубічної гратки відбувається при вмісті Al близько 25 ат. %. Наявність у бішарових багатоперіодних композиціях других нанорозмірних (7-8 нм) шарів, що складаються з одного нітрида з групи CrNx, MoNx або ZrNx, не змінює тип гратки в [Ti(Al):Si]Nx шарах. У шарах CrNx і ZrNx також формується ГЦК гратка з сильно або слабовираженою текстурою [111], а в шарах MoNx – кристаліти з граткою гексагонального типу. Високотемпературний відпал при температурі 700 °С протягом 40 хвилин призводить до значного (на 23 % або до Н  47,56 ГПа) підвищення мікротвердості покриття системи [Ti(Al)]Nx/ZrNy внаслідок формування нанорозмірної структури з середнім розміром кристалітів у [Ti(Al)]Nx шарах 3,8 нм, а в ZrN шарах – 6,3 нм.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]
2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
19) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
20) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
21) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
22) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
23) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
24) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
25) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
26) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
27) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
28) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
29) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
30) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
31) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
32) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]