Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx
| Автори | О.В. Соболь1 , А.А. Андрєєв2 , Т.В. Бочуля3, В.А. Столбовий2 , В.Ф. Горбань4 , А.В. Янчев3, А.О. Мейлехов1 |
| Приналежність | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Kирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2 Національний науковий центр Харківський фізико-технічний інститут, вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна 3 Харківський державний університет харчування та торгівлі, вул. Kлочківська, 333, 61051 Харків, Україна 4 Інститут проблем матеріалознавства НАН України, вул. Кржижановського 3, 03142 Київ-142, Україна |
| Е-mail | sool@kpi.kharkov.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 23.12.2016, у відредагованій формі - 18.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | О.В. Соболь, А.А. Андрєєв, Т.В. Бочуля та ін. Ж. нано- та електрон. фіз. Т. 9 № 1, 01032 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01032 |
| PACS Number(s) | 64.75.St, 81.07.Bc, 62.25. – g, 61.05.cp, 61.82.Rx |
| Ключові слова | Багатошарове покриття (4) , Число шарів, TiNx/ZrNx, Субструктура (7) , Мікродеформація (5) , Розмір кристалітів (6) , Твердість (63) , Глибина впровадження, Коефіцієнт тертя (7) . |
| Анотація | Проведені комплексні дослідження методами структурного аналізу (прецизійний XRD-метод і растрова електронна мікроскопія) в поєднанні з випробуваннями на фізико-механічні властивості (твердість, модуль пружності, сила тертя і коефіцієнт тертя). Такі комплексні дослідження є основою для оптимізації властивостей многоперіодной систем TiNx/ZrNx шляхом зміни їх структурних станів (структурна інженерія). Основними параметрами зміни були: число шарів (n) від 134 до 534 (при загальній товщині покриттів близько 10 мкм) і величина негативного потенціалу зсуву Ub. Виявлено формування двофазного (TiNx і ZrNx) стану. На субструктурного рівні найбільш чутливою до Ub є мікродеформацій. Зростання мікродеформації зі збільшенням числа ZrNx шарів (при найбільшому Ub – 200 В) свідчить про визначальний внесок опромінення важкими Zr іонами в утворення дефектів при формуванні покриття. Встановлено, що при оптимальних технологічних параметрах отримання многоперіодной нітридних покриттів TiNx/ZrNx їх твердість знаходиться в межах 40-50 ГПа, що відповідає надтвердому стану. Виявлено залежність глибини проникнення індентора при випробуваннях в парі «алмаз - багатошарове покриття TiNx/ZrNШx» і коефіцієнта тертя від співвідношення Н/Е, яке характеризує пружність матеріалу. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
19) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
20) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
21) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
22) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
23) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
24) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
25) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
26) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
27) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
28) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
29) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
30) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
31) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
