| Автори | Я.О. Сичікова |
| Афіліація | Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100 Бердянськ, Україна |
| Е-mail | yanasuchikova@mail.ru |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 02.11.2016, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Цитування | Я.О. Сичікова, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 1, 01006 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01006 |
| PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
| Ключові слова | Поруватий фосфід індію (2) , Пасивація (4) , Халькогеніди (8) , Фотолюмінесценція (30) , Сульфідний розчин, Окисли. |
| Анотація | У роботі описується вплив хімічної обробки поверхні поруватого фосфіду індію в розчинах сульфідів на спектр фотолюмінесценції. Показано, що сульфідування призводить поверхню зразків до стану інертності по відношенню до кисню. Встановлено, що під час халькогенідної пасивації por-InP відбувається видалення шару окислу, замість нього формується тонка кристалічна плівка хімічно інертного матеріалу. |
|
Перелік посилань English version of article |