Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 +
| Автори | А.П. Лучечко, О.П. Кравець, О.В. Цвєткова |
| Приналежність | Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Тарнавського 107, 79017 Львів, Україна |
| Е-mail | luchechko@electronics.lnu.edu.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 02.11.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | А.П. Лучечко, О.П. Кравець, О.В. Цвєткова, Ж. Нано- електрон. фіз. 9 № 1, 01003 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01003 |
| PACS Number(s) | 61.05.cp, 78.40.Kc, 78.70.En |
| Ключові слова | Галати Mg1 – xZnxGa2O4, Шпінель (6) , Іони перехідних металів Mn2+, Тверді розчини (12) , Оптичне поглинання (7) , Люмінесценція (46) . |
| Анотація | Досліджено структуру керамічних зразків MgGa2O4, Mg0.5Zn0.5Ga2O4 та ZnGa2O4, легованих іонами Mn2+, отриманих методом твердофазного синтезу за температури 1200 С. Зразки мають структуру шпінелі з кубічною ґраткою (просторова група Fd3m). Отримані значення параметрів елементарної комірки свідчать про зростання періоду кристалічної ґратки зі збільшенням вмісту іонів Zn2+. Дослідження елементного складу засвідчили стехіометричність отриманих керамічних зразків. Наведено зображення суміші вихідних матеріалів синтезу, поверхні та зламу керамік, отриманих за допомогою скануючої електронної мікроскопії. Проведена оцінка розміру кристалітів добре узгоджується із результатами розрахунків за формулою Шеррера. На краю смуги фундаментального поглинання спостерігається перегин, що пов'язаний з поглинанням енергії у смузі перенесення заряду від аніонів O2- до іонів активатора Mn2+. За спектрами оптичного поглинання визначено ширину забороненої зони керамік. Показано, що ступінь заміщення катіонів Mg2+ катіонами Zn2+ впливає на ширину забороненої зони мікрокерамік. Проведено дослідження люмінесценції при збудженні Х-променями за кімнатної температури та температури рідкого азоту. Виявлено три смуги свічення, котрі відповідають люмінесценції матриці, свіченню іонів активатора Mn2+ та неконтрольованої домішки Cr3+. Інтенсивність свічення матриці зростає приблизно удвічі за температури рідкого азоту у всіх досліджуваних зразках. Люмінесценція іонів Mn2+ та Cr3+ має рекомбінаційну природу та слабо залежить від температури. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
4) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
5) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
6) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
7) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
8) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
9) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
10) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
11) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
12) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
13) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
14) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
15) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
16) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
17) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
