Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок
| Автори | Т.А. Лень1 , І.В. Овсієнко1 , Л.Ю. Мацуй1 , І.Б. Беркутов2, 3 , І.Г. Мірзоєв2, Д. Гніда4, Ю.А. Куницький1 |
| Приналежність | 1 Київський національний університет імені Тараса Шевченка, просп.. Глушкова, 4, 01601 Київ, Україна 2 Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАНУ, просп. Науки, 47, 61103 Харків, Україна 3 Department of Physics, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA 4 Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, P.O. Box 1410, 50-950 Wroclaw, Poland |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 09.11.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | Т.А. Лень, І.В. Овсієнко, Л.Ю. Мацуй та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 1, 01018 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01018 |
| PACS Number(s) | 61.48.De, 88.30.rh |
| Ключові слова | Багатостінні вуглецеві нанотрубки (4) , Електроопір (7) , Магнітоопір (37) , Модифікація (6) . |
| Анотація | Досліджено вплив модифікації вуглецевих нанотрубок оксидами заліза на їх електро- та магнітотранспортні властивості. Показано, що для модифікованих вуглецевих нанотрубок в електро- та магнітоопорі має місце прояв ефектів двовимірної слабкої локалізації та взаємодії носіїв заряду. За даними низькотемпературних досліджень магнітоопору встановлений вигляд температурної залежності часу релаксації фази хвильової функції та оцінено зміщення рівня Фермі в модифікованих вуглецевих нанотрубок. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
