Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy
| Автори | M. Bagherpour1, A. Shokouhfar1, A. Zolriasatein1,2, A. Farzaneh Bahelgerdy1 |
| Приналежність | 1 Advanced Materials and Nanotechnology Research Lab, Faculty of Materials Science and Engineering, K.N. Toosi University of Technology, 1999143344 Tehran, Iran 2 Center for Nanotechnology Development, Niroo Research Institute (NRI), 1468617151 Tehran, Iran |
| Е-mail | navidbagherpour@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 02.11.2016, у відредагованій формі - 08.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | M. Bagherpour, A. Shokouhfar, A. Zolriasatein, A. Farzaneh Bahelgerdy, J. Nano- Electron. Phys. 9 No 1, 01008 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01008 |
| PACS Number(s) | 62.20.fg |
| Ключові слова | Shape memory alloy (3) , Equal channel angular pressing (ECAP), Martensitic transformation (2) , Compressive strength and hardness. |
| Анотація | Characterization and mechanical behavior was investigated on Cu-Zn-Al shape memory alloy subjected to severe plastic deformation by equal channel angular pressing (ECAP). The microstructure, phase transformation temperatures and morophological features were studied by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), differential scanning calorimetry (DSC) and optical microscope (OM). Homogenous microstructure and grain refinement, which leads to improvement of mechanical properties, was readily achieved by severe plastic deformation (SPD). The XRD results showedtransformation happened from -phase to martensite phase which induced by the mechanical activated transformation process that has also resulted in the increase of martensite start temperature (MS) after the ECAP process. The alloy’s Vickers hardness increased rapidly from 136 to 217 through the first pass at 400 C, and then it increased slowly and tended to be stable with increasing of ECAP passes. The yield and compressive strength of specimens increased 242 % and 29 % after ECAP process. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
9) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
10) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
11) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
12) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
13) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
14) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
15) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
16) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
17) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
18) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
19) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
20) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
