Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite
| Автори | A. Kosogor |
| Приналежність | Institute of Magnetism, 36-b, Vernadsky blvd., 03142 Kyiv, Ukraine |
| Е-mail | annakosogor@gmail.com |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 30.12.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | A. Kosogor, J. Nano- Electron. Phys. 9 No 1, 01026 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01026 |
| PACS Number(s) | 81.30.Kf, 62.20.de |
| Ключові слова | Martensitic transformation (2) , Magnetically induced reorientation, Magnetostriction, Young's elastic modulus. |
| Анотація | The experimental temperature dependence of threshold magnetic field initiating the giant magnetically induced deformation of Ni-Mn-Ga martensitic alloy has been analyzed. The relationships between the temperature dependences of threshold magnetic field, magnetostriction and elastic modulus have been revealed and described theoretically. It has been shown that the temperature limits of giant magnetically induced deformation and the character of temperature dependence of threshold magnetic field are predetermined by the temperature dependence of soft elastic modulus of alloy in the martensitic phase. It has been demonstrated that the careful fitting of theoretical temperature dependence of threshold field to the experimental one results in the characterization of hardly measurable physical values of martensitic phase, such as temperature dependences of elastic modulus and magnetostriction. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
19) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
20) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
21) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
22) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
23) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
24) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
25) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
