DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material
| Автори | F. Marcillo1,2, L. Villamagua1,3, A. Stashans1 |
| Приналежність | 1 Grupo de Fisicoquímica de Materiales, Universidad Técnica Particular de Loja, Apartado 11-01-608, Loja, Ecuador 2 Titulación de Ingeniería Química, Universidad Técnica Particular de Loja, Apartado 11-01-608, Loja, Ecuador 3 Departamento de Química y Ciencias Exactas, Sección Fisicoquímica y Matemáticas, Universidad Técnica Particular de Loja, Apartado 11-01-608, Loja, Ecuador |
| Е-mail | fpmarcillo@utpl.edu.ec, lmvillamagua@utpl.edu.ec |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 11.10.2016, у відредагованій формі - 19.10.2016, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | F. Marcillo, L. Villamagua, A. Stashans, J. Nano- Electron. Phys. 9 No 1, 01024 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01024 |
| PACS Number(s) | 72.S –, 61.72.U –, 71.15.Mb |
| Ключові слова | Density functional theory (5) , Electrical conductivity (10) , n-type (4) , p-type (3) , ZnO material, Nitrogen doping (2) , Zinc vacancy. |
| Анотація | Density functional theory and generalized gradient approximation including a Hubbard-like term was used in the present work to analyse p-type electrical conductivity as well as the switch of n-type p-type conductivity in the ZnO materials. Results on atomic shifts indicate significance of Coulomb electrostatic interaction in finding the equilibrium state of the system. It is shown that the p-type electrical conductivity could be obtained by the N impurity doping into the n-type ZnO samples and also by considering zinc vacancy defect in otherwise pure ZnO crystal. Computed concentrations of free-carriers for different samples are compared to the available experimental data. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
19) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
20) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
21) A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation [01021-1-01021-5]
22) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
23) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
