A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation
| Автори | P.P. Chougule1, B. Sen2, R. Mukherjee2, P.S. Patil1, R.K. Kamat3 , T.D. Dongale1 |
| Приналежність | 1 Computational Electronics and Nanoscience Research Laboratory, School of Nanoscience and Biotechnology, Shivaji University, Kolhapur- 416004 India 2 Department of Computer Science and Engineering, NIT, Durgapur-713209 India 3 Embedded System and VLSI Research Laboratory, Department of Electronics, Shivaji University, Kolhapur-416004 India |
| Е-mail | tdd.snst@unishivaji.ac.in |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
| Дати | Одержано 13.11.2016, у відредагованій формі - 07.02.2017, опубліковано online - 20.02.2017 |
| Посилання | P.P. Chougule, B. Sen, R. Mukherjee, et al., J. Nano- Electron. Phys. 9 No 1, 01021 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(1).01021 |
| PACS Number(s) | 03.67.Lx, 85.35.Be, 07.05.Tp |
| Ключові слова | QCA (4) , Akers logical array, Processing in memory, Computer architecture. |
| Анотація | Processing in Memory (PIM) is a computing paradigm that promises enormous gain in processing speed by eradicating latencies in the typical von Neumann architecture. It has gained popularity owing to its throughput by embedding storage and computation of data in a single unit. We portray implementation of Akers array architecture endowed with PIM computation using Quantum-dot Cellular Automata (QCA). We present the proof of concept of PIM with its realization in the QCA designer paradigm. We illustrate implementation of Ex-OR gate with the help of QCA based Akers Array and put forth many interesting potential possibilities. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of π Orbital on I/V Characteristics and Transmission in Molecular Diode Structures with Au Contacts [01001-1-01001-5]2) Analog Behavioral Modeling of Schottky Diode Using Spice [01002-1-01002-4]
3) Структурні та оптико-люмінесцентні характеристики керамік Mg1 – xZnxGa2O4: Mn2 + [01003-1-01003-6]
4) Thermal Modeling of an Integrated Circular Inductor [01004-1-01004-5]
5) Polyhedral Model of Carbon Nanotubes Analytically Describing their Geometry [01005-1-01005-6]
6) Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію [01006-1-01006-4]
7) Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [01007-1-01007-5]
8) Effect of Severe Plastic Deformation on Shape Memory and Mechanical Properties of Nanostructured Cu-Zn-Al Alloy [01008-1-01008-6]
9) Density Functional Study on Structural Stability and Electronic Properties of Neutral, Anionic and Cationic MgSe Nanostructures [01009-1-01009-6]
10) Визначення критичних значень параметрів електронного променю при поверхневому оплавленні оптичних елементів точного приладобудування [01010-1-01010-5]
11) Optical Properties of Pure and Eu Doped ZnSe Films Deposited by CSVS Technique [01011-1-01011-5]
12) Design of Novel Efficient Multiplexer Architecture for Quantum-dot Cellular Automata [01012-1-01012-7]
13) Метрологічне забезпечення імпульсних світлових вимірювань [01013-1-01013-5]
14) Characterization of the Microstructural and Mechanical Properties of MoZrN Coating [01014-1-01014-4]
15) Дослідження температурних полів теплоносія в установках отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [01015-1-01015-4]
16) Вплив міжфазної межі розділу на параметри бар’єрних переходів метал-напівпровідник [01016-1-01016-4]
17) Поверхневі плазмони у вуглецевих нанотрубках еліптичного перерізу [01017-1-01017-4]
18) Магнітоопір модифікованих вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-7]
19) Термодинамічні властивості монокристалів кремнію, легованих домішкою бора [01019-1-01019-4]
20) Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B) [01020-1-01020-5]
21) Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET [01022-1-01022-4]
22) Memristor Effect in Ni/TiOx/p-Si/Ni and Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni Heterojunctions [01023-1-01023-3]
23) DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material [01024-1-01024-6]
24) Resistive Switching Properties of Highly Transparent SnO2:Fe [01025-1-01025-5]
25) Role of the Temperature Dependence of Elastic Modulus in the Basic Characteristics of Giant Magnetically Induced Deformation of Ferromagnetic Martensite [01026-1-01026-3]
26) Hydroxyl Properties of Hydrogenated Germanosilicate Optical Fiber Due to Thermal Treatment and Ultraviolet Irradiation [01027-1-01027-4]
27) Структурні та оптичні властивості плівок Cu2ZnSnS4,отриманих методом пульсуючого спрей-піролізу [01028-1-01028-7]
28) Some Aspect of Modern Nanotechnology and Lazer Radiation in Cancer Treament [01029-1-01029-2]
29) Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor [01030-1-01030-4]
30) Структура та механічні властивості гафнію легованого оксидом ітрію [01031-1-01031-5]
31) Структура і фізико-механічні властивості многоперіодной вакуумно-дугових покриттів на основі двошарової системи TiNx/ZrNx [01032-1-01032-6]
32) Структура і властивості вакуумно-дугових одношарових і багатоперіодних двошарових нітридних покриттів на основі шарів Ti(Al):Si [01033-1-01033-6]
