Імітаційне дослідження тилового контакту метал-напівпровідник p-c-Si/Al кремнієвих сонячних елементів з гетеропереходами
| Автори | K. Bendjebbar1, D. Rached1 , W.L. Rahal2,3 , S. Bahlouli1 |
| Приналежність |
1Laboratoire de Physique des Plasmas, Matériaux Conducteurs et Leurs Applications, U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie 2Laboratoire d’Analyse et d’Application des Rayonnements. U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie 3Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes et de l’Informatique, Université Abdelhamid Ibn Badis de Mostaganem, Algérie |
| Е-mail | leila.rahal@univ-mosta.dz |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
| Дати | Одержано 05 квітня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020 |
| Посилання | K. Bendjebbar, D. Rached, W.L. Rahal, S. Bahlouli, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05022 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05022 |
| PACS Number(s) | 73.61.Jc, 71.20.Mq, 88.40.hj, 88.40.jj |
| Ключові слова | Сонячні елементи з HIT, Потенційний бар'єр (2) , Вольт-амперні характеристики J(V), Кристалічний кремній (3) , Аморфний кремній (7) . |
| Анотація |
Кремнієвий сонячний елемент з HIT (гетероперехід з власним тонким шаром) має великий потенціал для поліпшення фотоелектричної ефективності та зменшення витрат завдяки технології низькотемпературного осадження гідрогенізованого аморфного кремнію a-Si:H у поєднанні з високою стабільною ефективністю кристалічного кремнію c-Si. Щоб отримати чітке уявлення про загальне функціонування сонячного елемента з HIT, ми дослідили перехід напівпровідник-метал на тиловому контакті сонячного елемента c-Si p-типу з HIT: оксид індію та олова (ITO)/гідрогенізований n-легований аморфний кремній (n-a-Si:H)/гідрогенізований поліморфний кремній з власною провідністю (i-pm-Si:H)/p-легований кристалічний кремній (p-c-Si)/алюміній (Al). Використовуючи комп'ютерне моделювання, ми виявили, що на відміну від переходу ITO/n-a-Si:H на фронтальних сонячних елементах з HIT, який не залежить від висоти бар'єру фронтального контакту b0, збільшення висоти бар'єру тилового контакту bL призводить до вигину вгору валентної смуги в цьому типі елементів, що усуває бар'єр для дірок і робить більше фотогенерованих дірок здатними переходити від активного шару (p-легований кристалічний кремній p-c-Si) до металу (алюміній). Збільшення електричного поля за рахунок зміни вигину поверхневої смуги на переході p-c-Si/Al спричиняє збільшення VOC, що призводить до збільшення ефективності сонячних елементів з 17,21 % до 17,38 %. Вибір металу з високою роботою виходу, як паладій, хром або рутеній, може бути найкращим вибором як тилового контакту для цього типу сонячних елементів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Фізико-хімічні характеристики нанокластерів кремнію-германію [05001-1-05001-5]2) Квазірівноважні процеси релаксації електронного збудження молекули азидомалахітового зеленого [05002-1-05002-7]
3) Розрахунки з перших принципів електронних властивостей гетероструктур на основі ZnO/GaN [05003-1-05003-6]
4) Механічна поведінка зміцнених частинками термопластичних матричних композитів з використанням моделювання методом кінцевих елементів [05004-1-05004-5]
5) Особливості впливу ультразвукових хвиль на біологічні тканини різних типів [05005-1-05005-4]
6) Оптичні властивості плівок селеніду цинку, які леговані європієм [05006-1-05006-5]
7) Вивчення резонансних дифракційних явищ на ґратках точним методом зв’язаних хвиль з модифікованою системою рівнянь [05007-1-05007-6]
8) Перспективи полімерних сонячних елементів – це виробництво енергії за низькою вартістю [05008-1-05008-5]
9) Першопринципне дослідження рідкоземельних мононитридів ScN і YN під тиском [05009-1-05009-5]
10) Аналіз та оцінка впливу кліматичних умов на фотоелектричний модуль з аморфного кремнію [05010-1-05010-5]
11) Осадження покриття іонно-плазмовим розпиленням мішені з max фази Ti2AlC [05011-1-05011-6]
12) Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів [05012-1-05012-5]
13) Синхронізація антиферомагнітного джозефсонівського осцилятора зовнішнім сигналом [05013-1-05013-4]
14) Композити поліетиленоксиду/титанату барію: оптичні, електричні та теплові властивості [05014-1-05014-4]
15) Структурні та оптичні характеристики мультиферроїчних наночастинок BiFeO3, синтезованих при різних температурах відпалу [05015-1-05015-6]
16) Озоночутливі властивості тонких плівок нанокристалічного карбіду кремнію [05016-1-05016-4]
17) Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb [05017-1-05017-4]
18) Електронні властивості фталоцианінів перехідних елементів, отриманих за методами гібридного функціонала та рівняння Бете-Солпітера [05018-1-05018-5]
19) Виготовлення нової серії чотирикомпонентних сплавів шляхом гібридного фазового спікання [05019-1-05019-5]
20) Оптимізація 6Т бітової комірки із SRAM на основі співвідношення нанодротів SiNWT [05020-1-05020-4]
21) Design and Development of an Efficient Branch Predictor for an In-order RISC-V Processor [05021-1-05021-4]
22) Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою [05023-1-05023-5]
23) Хвилеводні поляризатори з діафрагмами для опромінювачів супутникових антен Ku-діапазону [05024-1-05024-5]
24) Нанозаповнені антифрикційні полімерні композиційні матеріали для деталей вузлів тертя морського та річкового транспорту [05025-1-05025-6]
25) Формування нанопористої структури аміачної селітри в вихрових апаратах з попереднім зволоженням гранул [05026-1-05026-7]
26) Дослідження польових транзисторів на вуглецевих нанотрубках з коаксіальною геометрією [05027-1-05027-5]
27) Першопринципний розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами перехідних металів в кремнії [05028-1-05028-4]
28) Прямий синтез графену з переробленого сердечника акумулятора методом ексфоліації плазми низької густини та його застосування для видалення метиленового синього та родаміну В з водних розчинів [05029-1-05029-4]
29) Магнітні та магніторезистивні властивості тонкоплівкових сплавів на основі кобальту і міді [05030-1-05030-6]
30) Еволюція властивостей іонно-плазмових покриттів на основі нітридів тугоплавких металів [05031-1-05031-5]
31) Кутові розподіли розсіяних іонів і при ковзному падінні на поверхню (001)<110> [05032-1-05032-4]
32) Аналітичний розрахунок спектра частот і групових швидкостей акустичних фононів у квазідвовимірних наноструктурах [05033-1-05033-5]
33) Підвищення коефіцієнта посилення мікрополоскової патч-антени і решітчастої антени з використанням різних структур метаматеріалів для додатків телемедицини [05034-1-05034-5]
34) Дослідження нанопорошків нікелю та їх застосування як мастильних добавок [05035-1-05035-3]
