Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb

Автори А.О. Дружинін , І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Н.С. Лях-Кагуй
Приналежність

Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери, 12, 29013 Львів, Україна

Е-mail
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Дати Одержано 08 липня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020
Посилання А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Н.С. Лях-Кагуй, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05017 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05017
PACS Number(s) 72.20.
Ключові слова Ниткоподібні кристали (3) , InSb, Термо-ерс (2) , Теплопровідність (9) , Термоелектрична добротність (3) .
Анотація

У статті розглядаються термоелектричні параметри ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією олова близько 4,4·1018 см – 3 в інтервалі температур 4,2-300 К. Температурні залежності опору кристалів та коефіцієнта Зеебека вимірювали експериментально. Встановлено, що ниткоподібні кристали InSb мають досить високі значення коефіцієнта Зеебека, що перевищують значення масивних зразків у 2-3 рази. При використанні спеціально розробленого методу передачі тепла у зростках ниткоподібних кристалів проведено моделювання їх теплопровідності. Отримане плече на температурній залежності теплопровідності ниткоподібних кристалів та нанодротів InSb в області близько 100 К, що пов'язане з явищем фононного захоплення носіїв заряду, свідчить про надійність отриманих даних. У результаті була розрахована температурна залежність параметра ZT ниткоподібних кристалів InSb в інтервалі температур 4,2-300 K. Отримане значення параметра ZT 0,15 при кімнатній температурі вказує на можливість використання ниткоподібних кристалів для створення термоперетворювачів.

Перелік посилань