Автори | T. Belaroussi1, D. Rached1 , W.L. Rahal2,3 , F. Hamdache1 |
Афіліація |
1Laboratoire de Physique des plasmas, Matériaux Conducteurs et leurs Applications, U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie 2Laboratoire d’Analyse et d’Application des Rayonnements. U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie 3Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes et de l’Informatique, Université Abdelhamid Ibn Badis de Mostaganem, Algérie |
Е-mail | leila.rahal@univ-mosta.dz |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
Дати | Одержано 21 липня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020 |
Цитування | T. Belaroussi, D. Rached, W.L. Rahal, F. Hamdache, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05023 (2020) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05023 |
PACS Number(s) | 73.61.Jc, 71.20.Mq, 88.40.hj, 88.40.jj |
Ключові слова | Сонячні елементи (17) , HIT (9) , Гідрогенізований аморфний кремній, Характерні енергії, ASDMP (2) , J-V характеристика. |
Анотація |
У статті ми провели порівняльне дослідження двох різних типів високоефективних сонячних еле-ментів з HIT (гетероперехід з власним тонким шаром): ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al та ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al. Метою роботи є вивчення впливу ширини хвоста валентної зони (характерна енергія ED) та ширини хвоста зони провідності (характерна енергія EA) гідро-генізованого аморфного кремнію, присутнього як випромінювача цих сонячних елементів. Наші дослідження дозволили зробити висно-вок, що для отримання якісних фотоелементів важливо регулювати різні параметри, які впливають на спотворення гідрогенізованого аморфного кремнію, що використовується для розробки випромінювача елементів з HIT. На сонячних елементах n-c-Si з HIT (ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al) зменшення ED знижує швидкість рекомбінації дірок у шарі p-a-Si:H і тим самим підвищує ефективність досліджуваних елементів. Модифікація енергії EA зони провідності не впливає на якість елементів. Для сонячних елементів p-c-Si з HIT (ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al) відбувається протилежне явище. Дійсно, змен-шення EA зменшує швидкість рекомбінації електронів у шарі n-a-Si:H і, таким чином, збільшує ефек-тивність досліджуваних елементів. Модифікація характерної енергії ED валентної зони не впливає на продуктивність елементів цього типу. |
Перелік цитувань |