Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою

Автори T. Belaroussi1, D. Rached1 , W.L. Rahal2,3 , F. Hamdache1
Приналежність

1Laboratoire de Physique des plasmas, Matériaux Conducteurs et leurs Applications, U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie

2Laboratoire d’Analyse et d’Application des Rayonnements. U.S.T.O.M.B. – B.P. 1505, El M’naouar, Oran, Algérie

3Département de Physique, Faculté des Sciences Exactes et de l’Informatique, Université Abdelhamid Ibn Badis de Mostaganem, Algérie

Е-mail leila.rahal@univ-mosta.dz
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Дати Одержано 21 липня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020
Посилання T. Belaroussi, D. Rached, W.L. Rahal, F. Hamdache, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05023 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05023
PACS Number(s) 73.61.Jc, 71.20.Mq, 88.40.hj, 88.40.jj
Ключові слова Сонячні елементи (10) , HIT (7) , Гідрогенізований аморфний кремній, Характерні енергії, ASDMP (2) , J-V характеристика.
Анотація

У статті ми провели порівняльне дослідження двох різних типів високоефективних сонячних еле-ментів з HIT (гетероперехід з власним тонким шаром): ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al та ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al. Метою роботи є вивчення впливу ширини хвоста валентної зони (характерна енергія ED) та ширини хвоста зони провідності (характерна енергія EA) гідро-генізованого аморфного кремнію, присутнього як випромінювача цих сонячних елементів. Наші дослідження дозволили зробити висно-вок, що для отримання якісних фотоелементів важливо регулювати різні параметри, які впливають на спотворення гідрогенізованого аморфного кремнію, що використовується для розробки випромінювача елементів з HIT. На сонячних елементах n-c-Si з HIT (ITO/p-a-Si:H/i-pm-Si:H/n-c-Si/Al) зменшення ED знижує швидкість рекомбінації дірок у шарі p-a-Si:H і тим самим підвищує ефективність досліджуваних елементів. Модифікація енергії EA зони провідності не впливає на якість елементів. Для сонячних елементів p-c-Si з HIT (ITO/n-a-Si:H/i-pm-Si:H/p-c-Si/Al) відбувається протилежне явище. Дійсно, змен-шення EA зменшує швидкість рекомбінації електронів у шарі n-a-Si:H і, таким чином, збільшує ефек-тивність досліджуваних елементів. Модифікація характерної енергії ED валентної зони не впливає на продуктивність елементів цього типу.

Перелік посилань