Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів

Автори А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова
Приналежність

Інженерний інститут Запорізького національного університету, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна

Е-mail nk_alina@ukr.net
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Дати Одержано 30 березня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020
Посилання А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05012 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05012
PACS Number(s) 85.30. – z, 72.40. + w
Ключові слова Технологія; Прозорі покриття, що просвітлюють; Фотоелектричні перетворювачі; Кремнієві структури; Гетеропереходи; Параметри; Характеристики.
Анотація

Сонячна енергетика представляє розумну альтернативу використанню теплових, хімічних та ядерних джерел струму. За своїм енергетичним ресурсом сонячне випромінювання цілком здатне задовольнити зростаючі потреби людства. Актуальною проблемою в даний час є розробка і виготовлення високоефективних та економічних фотоперетворювачів (ФП) з достатньою радіаційною стійкістю. У зв'язку з цим потрібні нові технології і матеріали. Завдяки високій ефективності, температурній стабільності та малій чутливості до радіаційного опромінення ФП на основі гетероструктур є найбільш перспективними для використання. У статті запропонована технологія виготовлення ФП на основі кремнієвих структур з гетеропереходами типу ITO/n-Si/n+-Si. Отримання цих шарів методом пульверизації на поверхні кремнієвих пластин спирається на результати визначення оптимальних значень температури нагріву, швидкості осадження і течії газового струменя з сопла пульверизатора, товщини шару ITO, концентрації InCl3 до SnCl4 в спиртовому розчині, а також інших факторів. Виявлені технологічні особливості отримання цих шарів методом пульверизації дозволяють поліпшити електрофізичні характеристики ФП, їх надійність при експлуатації і коефіцієнт корисної дії.

Перелік посилань