Вплив технологічних факторів на електрофізичні характеристики фотоперетворювачів
| Автори | А.О. Ніконова , O.Ю. Небеснюк , З.A. Ніконова |
| Афіліація |
Інженерний інститут Запорізького національного університету, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
| Е-mail | nk_alina@ukr.net |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 5 |
| Дати | Одержано 30 березня 2020; у відредагованій формі 15 жовтня 2020; опубліковано online 25 жовтня 2020 |
| Цитування | А.О. Ніконова, O.Ю. Небеснюк, З.A. Ніконова, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 5, 05012 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(5).05012 |
| PACS Number(s) | 85.30. – z, 72.40. + w |
| Ключові слова | Технологія; Прозорі покриття, що просвітлюють; Фотоелектричні перетворювачі; Кремнієві структури; Гетеропереходи; Параметри; Характеристики. |
| Анотація |
Сонячна енергетика представляє розумну альтернативу використанню теплових, хімічних та ядерних джерел струму. За своїм енергетичним ресурсом сонячне випромінювання цілком здатне задовольнити зростаючі потреби людства. Актуальною проблемою в даний час є розробка і виготовлення високоефективних та економічних фотоперетворювачів (ФП) з достатньою радіаційною стійкістю. У зв'язку з цим потрібні нові технології і матеріали. Завдяки високій ефективності, температурній стабільності та малій чутливості до радіаційного опромінення ФП на основі гетероструктур є найбільш перспективними для використання. У статті запропонована технологія виготовлення ФП на основі кремнієвих структур з гетеропереходами типу ITO/n-Si/n+-Si. Отримання цих шарів методом пульверизації на поверхні кремнієвих пластин спирається на результати визначення оптимальних значень температури нагріву, швидкості осадження і течії газового струменя з сопла пульверизатора, товщини шару ITO, концентрації InCl3 до SnCl4 в спиртовому розчині, а також інших факторів. Виявлені технологічні особливості отримання цих шарів методом пульверизації дозволяють поліпшити електрофізичні характеристики ФП, їх надійність при експлуатації і коефіцієнт корисної дії. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Фізико-хімічні характеристики нанокластерів кремнію-германію [05001-1-05001-5]2) Квазірівноважні процеси релаксації електронного збудження молекули азидомалахітового зеленого [05002-1-05002-7]
3) Розрахунки з перших принципів електронних властивостей гетероструктур на основі ZnO/GaN [05003-1-05003-6]
4) Механічна поведінка зміцнених частинками термопластичних матричних композитів з використанням моделювання методом кінцевих елементів [05004-1-05004-5]
5) Особливості впливу ультразвукових хвиль на біологічні тканини різних типів [05005-1-05005-4]
6) Оптичні властивості плівок селеніду цинку, які леговані європієм [05006-1-05006-5]
7) Вивчення резонансних дифракційних явищ на ґратках точним методом зв’язаних хвиль з модифікованою системою рівнянь [05007-1-05007-6]
8) Перспективи полімерних сонячних елементів – це виробництво енергії за низькою вартістю [05008-1-05008-5]
9) Першопринципне дослідження рідкоземельних мононитридів ScN і YN під тиском [05009-1-05009-5]
10) Аналіз та оцінка впливу кліматичних умов на фотоелектричний модуль з аморфного кремнію [05010-1-05010-5]
11) Осадження покриття іонно-плазмовим розпиленням мішені з max фази Ti2AlC [05011-1-05011-6]
12) Синхронізація антиферомагнітного джозефсонівського осцилятора зовнішнім сигналом [05013-1-05013-4]
13) Композити поліетиленоксиду/титанату барію: оптичні, електричні та теплові властивості [05014-1-05014-4]
14) Структурні та оптичні характеристики мультиферроїчних наночастинок BiFeO3, синтезованих при різних температурах відпалу [05015-1-05015-6]
15) Озоночутливі властивості тонких плівок нанокристалічного карбіду кремнію [05016-1-05016-4]
16) Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів InSb [05017-1-05017-4]
17) Електронні властивості фталоцианінів перехідних елементів, отриманих за методами гібридного функціонала та рівняння Бете-Солпітера [05018-1-05018-5]
18) Виготовлення нової серії чотирикомпонентних сплавів шляхом гібридного фазового спікання [05019-1-05019-5]
19) Оптимізація 6Т бітової комірки із SRAM на основі співвідношення нанодротів SiNWT [05020-1-05020-4]
20) Design and Development of an Efficient Branch Predictor for an In-order RISC-V Processor [05021-1-05021-4]
21) Імітаційне дослідження тилового контакту метал-напівпровідник p-c-Si/Al кремнієвих сонячних елементів з гетеропереходами [05022-1-05022-4]
22) Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою [05023-1-05023-5]
23) Хвилеводні поляризатори з діафрагмами для опромінювачів супутникових антен Ku-діапазону [05024-1-05024-5]
24) Нанозаповнені антифрикційні полімерні композиційні матеріали для деталей вузлів тертя морського та річкового транспорту [05025-1-05025-6]
25) Формування нанопористої структури аміачної селітри в вихрових апаратах з попереднім зволоженням гранул [05026-1-05026-7]
26) Дослідження польових транзисторів на вуглецевих нанотрубках з коаксіальною геометрією [05027-1-05027-5]
27) Першопринципний розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами перехідних металів в кремнії [05028-1-05028-4]
28) Прямий синтез графену з переробленого сердечника акумулятора методом ексфоліації плазми низької густини та його застосування для видалення метиленового синього та родаміну В з водних розчинів [05029-1-05029-4]
29) Магнітні та магніторезистивні властивості тонкоплівкових сплавів на основі кобальту і міді [05030-1-05030-6]
30) Еволюція властивостей іонно-плазмових покриттів на основі нітридів тугоплавких металів [05031-1-05031-5]
31) Кутові розподіли розсіяних іонів і при ковзному падінні на поверхню (001)<110> [05032-1-05032-4]
32) Аналітичний розрахунок спектра частот і групових швидкостей акустичних фононів у квазідвовимірних наноструктурах [05033-1-05033-5]
33) Підвищення коефіцієнта посилення мікрополоскової патч-антени і решітчастої антени з використанням різних структур метаматеріалів для додатків телемедицини [05034-1-05034-5]
34) Дослідження нанопорошків нікелю та їх застосування як мастильних добавок [05035-1-05035-3]
