Розробка та аналіз трирівневого D-тригеру на базі польового транзисторуз вуглецевих нанотрубок
| Автори | Anirban Banerjee, Vikash Prasad, Debaprasad Das |
| Афіліація |
Department of Electronics and Communication Engineering, Assam University, Silchar, India |
| Е-mail | dasdebaprasad@yahoo.com |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Дати | Одержано 12 квітня 2019; у відредагованій формі 01 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019 |
| Цитування | Anirban Banerjee, Vikash Prasad, Debaprasad Das, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04011 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04011 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | CNTFET (9) , MVL, Трирівневий, D-тригер, Час насичення та утримання. |
| Анотація |
Інтегральні мікросхеми базуються на використанні бінарної логіки. Однак останні два десятиліття складність мікросхем невпинно зростала. Це призвело до великої площі чіпів через велику кількість з'єднань. Отже, великі паразитні ємності, пов'язані з взаємозв'язками, зменшили швидкість і збільшили розсіювання потужності. Ці проблеми можна подолати за допомогою багатозначної логіки (MVL). Для проектування цифрових схем на основі MVL необхідно контролювати порогову напругу пристроїв в залежності від логічних рівнів. Польовий транзистор з вуглецевих нанотрубок (CNTFET) є одним з таких пристроїв, який підходить для схем MVL, оскільки порогову напругу CNTFET можна легко контролювати шляхом зміни діаметра вуглецевих нанотрубок (CNTs). Діаметр вуглецевої нанотрубки (CNT) контролюється зміною її хіральності. Трирівнева логіка має три логічних рівня і є однією з перспективних багатозначних логік. У даній роботі ми розробили D-тригер на основі трирівневої логіки на базі CNTFET. Охарактеризовано часи встановлення та утримання D-тригеру. Проаналізовано також час затримки і потужність. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Рентгеноспектральне дослідження нанокомпозитів SiO2/TiO2/C [04001-1-04001-4]2) Структурні дослідження фазових переходів в інтеркальованих сполуках графіту з хлоридом йоду та бромом [04002-1-04002-6]
3) Вплив температури підкладки на формування плівок карбіду титану [04003-1-04003-5]
4) Теоретичний аналіз теплопровідності полімерних систем, наповнених вуглецевими нанотрубками [04004-1-04004-6]
5) Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 [04005-1-04005-5]
6) Нанопориста структура гранул аміачної селітри на стадії фінального сушіння: вплив режиму роботи сушарки [04006-1-04006-4]
7) Магнітоопір ниткоподібних кристалів GaP0.4As0.6 в околі переходу метал-діелектрик [04007-1-04007-5]
8) Моделювання впливу типу захисного кільця на електричні характеристики планарних кремнієвих детекторів типу n-on-p [04008-1-04008-6]
9) Сегментний аналіз обробки зображень за морфологічними вододілами розбавленого магнітного напівпровідника Zn0.97Fe0.03O [04009-1-04009-3]
10) Особливості мікроструктури та трибологічні властивості низьколегованої сталі, модифікованої високоенергетичним плазмовим імпульсом [04010-1-04010-5]
11) Поверхнева наноструктура шарів, отриманих осадженням із водних розчинів [04012-1-04012-6]
12) Розв'язок двовимірного рівняння Шредінгера в симетріях розширеної квантової механіки для модифікованого псевдогармонічного потенціалу: застосування до деяких двохатомних молекул [04013-1-04013-7]
13) Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів [04014-1-04014-6]
14) Інженерія забороненої зони в нанокристалічних тонких плівках NiO, отриманих методом спрей-піролізу з розпиленням Fe [04015-1-04015-6]
15) Пори одношарового нітриду бору як середовище для зберігання водню: DFT і IGM методи [04016-1-04016-7]
16) Синтез та характеризація гібридної нанокомпозитної рідини хітозан/магнетит [04017-1-04017-5]
17) Нова багатоступенева модель дифузії водню для негативного зміщення температурної нестабільності [04018-1-04018-6]
18) Наноструктурні покриття на основі аморфного вуглецю і наночастинок золота, отримані імпульсним вакуумно-дуговим методом [04019-1-04019-7]
19) Х-променевий аналіз наночастинок NiCrxFe2 – xO4 з використанням Дебая-Шеррера, Вільямсона-Холла і графічного розмірно-деформаційного методів [04020-1-04020-8]
20) BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією [04021-1-04021-6]
21) Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET [04022-1-04022-5]
22) Комп'ютерне моделювання електротранспортних характеристик наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото” [04023-1-04023-5]
23) Розв'язки нерелятивістських граничних станів модифікованого 2D потенціалу Кіллінгбека, що включає 2D потенціал Кіллінгбека і деякі центральні доданки для гідрогенних атомів і кварконієвої системи [04024-1-04024-8]
24) Вплив зміни температури науково-дослідного реактора на калібрування кластерної динаміки чистого заліза, яке опромінено нейтронами [04025-1-04025-4]
25) Пружні властивості Au, Ag і біметалевих Au@Ag нанодротів з моделювання методами молекулярної динаміки [04026-1-04026-5]
26) Нанопорошок та тонкі плівки ZnO, отримані методом золь-гелю [04027-1-04027-5]
27) Вплив ZnO легованого Al (AZO) як антирефлекторного реагента для системи сонячних елементів, сенсибілізованої барвником [04028-1-04028-5]
28) Вплив робочої температури на ефективність тонкоплівкових сонячних елементів [04029-1-04029-5]
29) Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb [04030-1-04030-6]
30) Дослідження спектрів фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1 – x:Mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [04031-1-04031-5]
31) Нелінійність дифузійних резисторів при струмі високої щільності [04032-1-04032-5]
32) Дослідження механізмів теплообміну в склі з використанням методу модуляції поляризації [04033-1-04033-4]
33) Першопринципне моделювання впливу домішок бору на електронну та атомну структуру карбіду титану [04034-1-04034-4]
34) Феромагнетизм нанокомпозицій залізо-мідь [04035-1-04035-5]
35) Ознаки квантово-розмірного квантування в спектрах ЕПР та UV-vis наносистем Al/Au [04036-1-04036-4]
36) Пошук параметра порядку низькотемпературних фазових переходів в нітратах двовалентних елементів [04037-1-04037-3]
