Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів
| Автори | Varun Mishra, Yogesh Kumar Verma, Santosh Kumar Gupta |
| Приналежність |
Electronics and Communication Engineering Department, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad, India |
| Е-mail | rel1605@mnnit.ac.in |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Дати | Одержано 28 березня 2019; у відредагованій формі 01 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019 |
| Посилання | Varun Mishra, Yogesh Kumar Verma, Santosh Kumar Gupta, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04014 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04014 |
| PACS Number(s) | 85.30.Mn, 73.43.Jn, 85.50. – n |
| Ключові слова | Сегнетоелектрик (5) , Локалізовані заряди, Негативна ємність, Інтермодуляційні. |
| Анотація |
Масштабування польових транзисторів (MOSFETs) менше 20 нм призводить до деяких ускладнень, таким як високий струм вимкненого стану через зменшення товщини оксиду затвору, індукованому стоком зниженню бар'єру та іншім ефектам короткого каналу. З цієї точки зору, тунельний польовий транзистор (TFET) є найкращим претендентом, щоб затьмарити MOSFETs у нанорозмірному режимі. Властивість негативної ємності сегнетоелектричного матеріалу поєднується з міжзонним тунельним механізмом TFET з метою посилення струму увімкненого стану пристрою. Як сегнетоелектричний шар (затворний діелектрик) використовують оксид гафнію, легований кремнієм (Si:HfO2). Більш низька діелектрична проникність і сумісність з технологічним процесом робить його підходящим сегнетоелектричним матеріалом на відміну від перовскітних матеріалів. У цій роботі досліджується вплив локалізованих зарядів на електричні показники, лінійність і параметри спотворення тунельного транзистору з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів (FE-DMGAA-TFET). Наявність оксидних зарядів змінює точку зміщення пристрою; отже, його вплив потрібно досліджувати з точки зору показників якості лінійності та спотворення. Локалізований заряд оксиду може бути як позитивним, так і негативним залежно від енергетичного рівня пастки щодо рівня Фермі. Виявлено, що струм вимкненого стану значно збільшується для донорно-локалізованого заряду від 10–19 до 10–12 A. Нелінійність і спотворення пристрою зменшуються у присутності негативного локалізованого заряду. За допомогою чисельних розрахунків було проаналізовано, що внаслідок донорсько-локалізованих зарядів підпороговий режим значно погіршується, підкреслюючи вимогу інтенсивного аналізу в цьому інтервалі для майбутньої ринкової ніші електроніки. Однак вплив акцепторно-локалізованих зарядів на продуктивність пристрою є незначним. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Рентгеноспектральне дослідження нанокомпозитів SiO2/TiO2/C [04001-1-04001-4]2) Структурні дослідження фазових переходів в інтеркальованих сполуках графіту з хлоридом йоду та бромом [04002-1-04002-6]
3) Вплив температури підкладки на формування плівок карбіду титану [04003-1-04003-5]
4) Теоретичний аналіз теплопровідності полімерних систем, наповнених вуглецевими нанотрубками [04004-1-04004-6]
5) Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 [04005-1-04005-5]
6) Нанопориста структура гранул аміачної селітри на стадії фінального сушіння: вплив режиму роботи сушарки [04006-1-04006-4]
7) Магнітоопір ниткоподібних кристалів GaP0.4As0.6 в околі переходу метал-діелектрик [04007-1-04007-5]
8) Моделювання впливу типу захисного кільця на електричні характеристики планарних кремнієвих детекторів типу n-on-p [04008-1-04008-6]
9) Сегментний аналіз обробки зображень за морфологічними вододілами розбавленого магнітного напівпровідника Zn0.97Fe0.03O [04009-1-04009-3]
10) Особливості мікроструктури та трибологічні властивості низьколегованої сталі, модифікованої високоенергетичним плазмовим імпульсом [04010-1-04010-5]
11) Розробка та аналіз трирівневого D-тригеру на базі польового транзисторуз вуглецевих нанотрубок [04011-1-04011-5]
12) Поверхнева наноструктура шарів, отриманих осадженням із водних розчинів [04012-1-04012-6]
13) Розв'язок двовимірного рівняння Шредінгера в симетріях розширеної квантової механіки для модифікованого псевдогармонічного потенціалу: застосування до деяких двохатомних молекул [04013-1-04013-7]
14) Інженерія забороненої зони в нанокристалічних тонких плівках NiO, отриманих методом спрей-піролізу з розпиленням Fe [04015-1-04015-6]
15) Пори одношарового нітриду бору як середовище для зберігання водню: DFT і IGM методи [04016-1-04016-7]
16) Синтез та характеризація гібридної нанокомпозитної рідини хітозан/магнетит [04017-1-04017-5]
17) Нова багатоступенева модель дифузії водню для негативного зміщення температурної нестабільності [04018-1-04018-6]
18) Наноструктурні покриття на основі аморфного вуглецю і наночастинок золота, отримані імпульсним вакуумно-дуговим методом [04019-1-04019-7]
19) Х-променевий аналіз наночастинок NiCrxFe2 – xO4 з використанням Дебая-Шеррера, Вільямсона-Холла і графічного розмірно-деформаційного методів [04020-1-04020-8]
20) BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією [04021-1-04021-6]
21) Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET [04022-1-04022-5]
22) Комп'ютерне моделювання електротранспортних характеристик наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото” [04023-1-04023-5]
23) Розв'язки нерелятивістських граничних станів модифікованого 2D потенціалу Кіллінгбека, що включає 2D потенціал Кіллінгбека і деякі центральні доданки для гідрогенних атомів і кварконієвої системи [04024-1-04024-8]
24) Вплив зміни температури науково-дослідного реактора на калібрування кластерної динаміки чистого заліза, яке опромінено нейтронами [04025-1-04025-4]
25) Пружні властивості Au, Ag і біметалевих Au@Ag нанодротів з моделювання методами молекулярної динаміки [04026-1-04026-5]
26) Нанопорошок та тонкі плівки ZnO, отримані методом золь-гелю [04027-1-04027-5]
27) Вплив ZnO легованого Al (AZO) як антирефлекторного реагента для системи сонячних елементів, сенсибілізованої барвником [04028-1-04028-5]
28) Вплив робочої температури на ефективність тонкоплівкових сонячних елементів [04029-1-04029-5]
29) Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb [04030-1-04030-6]
30) Дослідження спектрів фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1 – x:Mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [04031-1-04031-5]
31) Нелінійність дифузійних резисторів при струмі високої щільності [04032-1-04032-5]
32) Дослідження механізмів теплообміну в склі з використанням методу модуляції поляризації [04033-1-04033-4]
33) Першопринципне моделювання впливу домішок бору на електронну та атомну структуру карбіду титану [04034-1-04034-4]
34) Феромагнетизм нанокомпозицій залізо-мідь [04035-1-04035-5]
35) Ознаки квантово-розмірного квантування в спектрах ЕПР та UV-vis наносистем Al/Au [04036-1-04036-4]
36) Пошук параметра порядку низькотемпературних фазових переходів в нітратах двовалентних елементів [04037-1-04037-3]
