Вплив ZnO легованого Al (AZO) як антирефлекторного реагента для системи сонячних елементів, сенсибілізованої барвником
| Автори | H. Munawaroh1, S. Wahyuningsih2, A.H. Ramelan2 |
| Приналежність |
1 Master Program of Chemistry, Graduate School of Universitas Sebelas Maret, Kentingan Jebres, Surakarta 57126, Indonesia 2 Inorganic Material Research Group, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Sebelas Maret, Kentingan Jebres Surakarta 57126, Indonesia |
| Е-mail | sayekti@mipa.uns.ac.id |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Дати | Одержано 27 березня 2019; у відредагованій формі 05 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019 |
| Посилання | H. Munawaroh, S. Wahyuningsih, A.H. Ramelan, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04028 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04028 |
| PACS Number(s) | 61.72.uj, 61.46.Hk, 78.67.Bf, 42.79.Wc, 84.60.Jt |
| Ключові слова | ZnO (88) , легований Al, Структурні властивості (10) , Оптичні властивості (26) , Антирефлексія, DSSCs (3) . |
| Анотація |
Наночастинки ZnO, леговані Al (AZO), були синтезовані як антирефлекторний реагент для системи сонячних елементів, сенсибілізованої барвником. ZnO, легований Al, готували методом золь-гелю при 60 °C протягом 3 годин змінюючи концентрацію Al (0, 2, 3 і 4 %). XRD картина AZO показує, що додавання Al впливає на структурні властивості, такі як зменшення розміру кристалітів від 10 нм до 28 нм. Оптичні властивості AZO характеризувалися UV-Vis спектрофотометром. ZnO, легований Al, демонструє явище червоного зсуву на довжині хвилі 320-375 нм. 3 % і 4 % AZO показують два піки, розглянуті як домішки ZnO, легованого Mg. Спектри пропускання AZO показують збільшення пропускання в області видимого світла на 50-95 %. Спектри відбиття показують величину відбиття, що збільшується в УФ області і зменшується у видимій області (< 50 %). Енергію забороненої зони AZO розраховували за допомогою методу Tauc Plot. Додавання Al може зменшити енергію забороненої зони AZO від 3.45 еВ до 3.23 еВ. ZnO, легований Al, використовується як антирефлекторний реагент для сенсибілізованих барвником сонячних елементів (DSSCs). Система DSSCs з AZO має більш високу ефективність, ніж елементи без антирефлекторного покриття. Ефективність системи сонячних елементів без антирефлекторного шару AZO становить 0.18 %, тоді як ефективність з 2, 3 і 4 % антирефлекторним шаром AZO склала 0.28, 0.68 і 0.85 % відповідно. Максимальна продуктивність системи DSSCs з 4 % AZO (0.85 %) як антирефлекторним реагентом була продемонстрована поліпшеною ефективність до 372 разів порівняно з системою без антирефлекторного реагента. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Рентгеноспектральне дослідження нанокомпозитів SiO2/TiO2/C [04001-1-04001-4]2) Структурні дослідження фазових переходів в інтеркальованих сполуках графіту з хлоридом йоду та бромом [04002-1-04002-6]
3) Вплив температури підкладки на формування плівок карбіду титану [04003-1-04003-5]
4) Теоретичний аналіз теплопровідності полімерних систем, наповнених вуглецевими нанотрубками [04004-1-04004-6]
5) Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3 [04005-1-04005-5]
6) Нанопориста структура гранул аміачної селітри на стадії фінального сушіння: вплив режиму роботи сушарки [04006-1-04006-4]
7) Магнітоопір ниткоподібних кристалів GaP0.4As0.6 в околі переходу метал-діелектрик [04007-1-04007-5]
8) Моделювання впливу типу захисного кільця на електричні характеристики планарних кремнієвих детекторів типу n-on-p [04008-1-04008-6]
9) Сегментний аналіз обробки зображень за морфологічними вододілами розбавленого магнітного напівпровідника Zn0.97Fe0.03O [04009-1-04009-3]
10) Особливості мікроструктури та трибологічні властивості низьколегованої сталі, модифікованої високоенергетичним плазмовим імпульсом [04010-1-04010-5]
11) Розробка та аналіз трирівневого D-тригеру на базі польового транзисторуз вуглецевих нанотрубок [04011-1-04011-5]
12) Поверхнева наноструктура шарів, отриманих осадженням із водних розчинів [04012-1-04012-6]
13) Розв'язок двовимірного рівняння Шредінгера в симетріях розширеної квантової механіки для модифікованого псевдогармонічного потенціалу: застосування до деяких двохатомних молекул [04013-1-04013-7]
14) Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів [04014-1-04014-6]
15) Інженерія забороненої зони в нанокристалічних тонких плівках NiO, отриманих методом спрей-піролізу з розпиленням Fe [04015-1-04015-6]
16) Пори одношарового нітриду бору як середовище для зберігання водню: DFT і IGM методи [04016-1-04016-7]
17) Синтез та характеризація гібридної нанокомпозитної рідини хітозан/магнетит [04017-1-04017-5]
18) Нова багатоступенева модель дифузії водню для негативного зміщення температурної нестабільності [04018-1-04018-6]
19) Наноструктурні покриття на основі аморфного вуглецю і наночастинок золота, отримані імпульсним вакуумно-дуговим методом [04019-1-04019-7]
20) Х-променевий аналіз наночастинок NiCrxFe2 – xO4 з використанням Дебая-Шеррера, Вільямсона-Холла і графічного розмірно-деформаційного методів [04020-1-04020-8]
21) BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією [04021-1-04021-6]
22) Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET [04022-1-04022-5]
23) Комп'ютерне моделювання електротранспортних характеристик наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото” [04023-1-04023-5]
24) Розв'язки нерелятивістських граничних станів модифікованого 2D потенціалу Кіллінгбека, що включає 2D потенціал Кіллінгбека і деякі центральні доданки для гідрогенних атомів і кварконієвої системи [04024-1-04024-8]
25) Вплив зміни температури науково-дослідного реактора на калібрування кластерної динаміки чистого заліза, яке опромінено нейтронами [04025-1-04025-4]
26) Пружні властивості Au, Ag і біметалевих Au@Ag нанодротів з моделювання методами молекулярної динаміки [04026-1-04026-5]
27) Нанопорошок та тонкі плівки ZnO, отримані методом золь-гелю [04027-1-04027-5]
28) Вплив робочої температури на ефективність тонкоплівкових сонячних елементів [04029-1-04029-5]
29) Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb [04030-1-04030-6]
30) Дослідження спектрів фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1 – x:Mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [04031-1-04031-5]
31) Нелінійність дифузійних резисторів при струмі високої щільності [04032-1-04032-5]
32) Дослідження механізмів теплообміну в склі з використанням методу модуляції поляризації [04033-1-04033-4]
33) Першопринципне моделювання впливу домішок бору на електронну та атомну структуру карбіду титану [04034-1-04034-4]
34) Феромагнетизм нанокомпозицій залізо-мідь [04035-1-04035-5]
35) Ознаки квантово-розмірного квантування в спектрах ЕПР та UV-vis наносистем Al/Au [04036-1-04036-4]
36) Пошук параметра порядку низькотемпературних фазових переходів в нітратах двовалентних елементів [04037-1-04037-3]
